Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок только для справки.
< >

тип товара:NTC040N120SC1

наименование товара:Карбид кремния (Sic) MOSFET

бренд:ON

год выпуска:24+

пакет:Die

срок поставки:новый оригинальный

количество запасов: 3000

количество
онлайновый запрос

контакты:

почтовый ящик:

контактный телефон:

название компании:

технический параметр

изготовитель
ON
модель
NTC040N120SC1
упаковка
Die
описание
Карбид кремния (SiC) MOSFET EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die

описание продукции

Ntc040n12020sc1 1200V EliteSiC (карбид кремния) обладает превосходными свойствами переключения и высокой надежностью по сравнению с кремниевыми приборами. Эти мосфеты имеют низкопроводящее сопротивление, которое обеспечивает низкий емкость и низкий сеточный заряд. Преимущества системы, достижимые в 1200V EliteSiC MOSFET, включают в себя повышение эффективности, ускорение частоты работы, повышение плотности мощности, снижение EMI и уменьшение размера системы.


Спецификации NTC040N120SC1:

Режим канала: Enhancement

сингла

Время падения: 10.4 нс

Прямая трансдукция-минимальное значение: 20 S

Ток непрерывного потока: 60 A

Максимальн рабоч температур: + 175 ° C

Минимальн рабоч температур: - 55 ° C

Стиль установки: SMD/SMT

Количество каналов: 1 чаннел

Диверсия мощности: 348 W

Тип продукции: SiC MOSFETS

Заряд сетки Qg- 106 nC

Сопротивление потока Rds On- утечка: 56 момс

Время подъёма: 41 нс

Серия: NTC040N120SC1

Количество заводов: 1

Подкатегория: Transistors

сик

Название торговой марки: EliteSiC

Полярность транзистора: N-Channel

Классическое время задержки: 33 нс

Типичное время задержки: 18 нс

Напряжение пробивания источника утечки: 1,2 кв

Vgs-сетка-источник напряжения: 15 V, плюс 25 V

Пороговое напряжение Vgs th- решёточного источника: 4.3 V


смежная продукция

модель

фирменный торговец

упаковка

количество

описание

NVH4L032N065M3S

ON

TO-247-4

3000

Карбид кремния (Sic) MOSFET EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

SCT025W120G3AG

ST

HiP247-3

3000

1200 В Мощность карбида кремния автомобильного класса MOSFET, 27 мОм, 56 А, HiP247

NTHL032N065M3S

ON

TO-247-3

3000

Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L

NTH4L032N065M3S

ON

TO-247-4

3000

Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

NTBG032N065M3S

ON

D2PAK-7

3000

Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L

NVBG032N065M3S

ON

D2PAK-7

3000

Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L

MSC180SMA120SDT

Microchip

TO-263-7

3000

1200В, 180 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

MSC060SMA070SDT

Microchip

TO-263-7

3000

700 В, 60 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

MSC360SMA120SCT

Microchip

PSMT-16

3000

1200 В, 360 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

MSC080SMA120SCT

Microchip

PSMT-16

3000

1200 В, 80 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

Общие вопросы

  • 1.на платформе точно видны запасы и цена?

     Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности.  В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение. 

  • 2.товары компании являются оригинальными?

    Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными. 

  • 3.можно ли представить сертификат происхождения первоначального завода или агента?

    Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами.  при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок. 

  • 4.можно ли попросить вас о помощи через сайт компании?

    Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.

  • 5.когда можно отправить товар после отгрузки?  Как долго это будет продолжаться?

    Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики. 

  • 6.компания может выписать чек?

    Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.

ON

ON

ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…

смежная продукция

больше
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler