Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

Сеть резисторов

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel Würth YITOA Ai-Thinker NANYA FUJITSU OSRAM ASPEED Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

NTH4L040N120SC1
ON

Produktbeschreibung:Туннели N канала 1200V 58A (Tc) 319W (Tc) TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NFAM2065L4BT
ON

Produktbeschreibung:Модуль IGBT 3 фазы 650 V, 20 A, 39 — PowerDIP (1,413, 35,90 мм), 30 проводов

пакет:39-PowerDIP
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH450B100H4Q2F2PG
ON

Produktbeschreibung:Модуль IGBT 2 инди-инди 1000 V 101 A 234 W с 56- пимом (93x47)

пакет:56-PIM
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH400N100H4Q2F2SG
ON

Produktbeschreibung:Антифазовое поле модуля IGBT с пределом 3 - й ступени антифазового поля (1000 V 409 A 959 W

пакет:42-PIM
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH400N100H4Q2F2PG
ON

Produktbeschreibung:Антифазовое поле модуля IGBT с пределом 3 - й ступени антифазового поля (1000 V 409 A 959 W)

пакет:42-PIM
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH450B100H4Q2F2SG
ON

Produktbeschreibung:Модуль IGBT 2 инди-инди 1000 V 101 A 234 W с 56- пимом (93x47)

пакет:56-PIM
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS5C670NWFT1G
ON

Produktbeschreibung:Тип поверхностного монтажа N-канальный 60 В 17A (Ta), 71A (Tc) 3,6 Вт (Ta), 61 Вт (Tc) 5DFN (5x6)

пакет:DFN-5
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS5C628NT1G
ON

Produktbeschreibung:Тип поверхностного монтажа N-канальный 60 В 28A (Ta), 150A (Tc) 3.7W (Ta), 110W (Tc) 5-DFN (5x6)

пакет:DFN-5
10 шт.
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS0D9N03CGT1G
ON

Produktbeschreibung:Тип поверхностного монтажа N-канальный 30 В 48A (Ta), 298A (Tc) 3,8 Вт (Ta), 144 Вт (Tc) 5DFN (5x6)

пакет:DFN-5
10 шт.
7500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL060N090SC1
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET, N-канальный - EliteSiC, 60 мОм, 900 В, M2, TO247-3L

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS6H818NLT1G
ON

Produktbeschreibung:MOSFET - силовой, одиночный, N-канальный, 80 В, 3,2 мОм 135 A

пакет:DFN-5
10 шт.
6000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXV65HR82DZ2
ON

Produktbeschreibung:Модуль драйвера питания MOSFET H-Bridge 650 В 26 A 16-SSIP

пакет:16-SSIP
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH25T120L2Q1PG
ON

Produktbeschreibung:Модуль IGBT состоит из трёх противоположных фазеров: 1200 V, 25 A, 81 W и 44-PIM

пакет:44-PIM
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH80T120L2Q0S2TG
ON

Produktbeschreibung:Установка антифазового поля модуля IGBT на базе 1200 V 80A с пределом 3 - й ступени

пакет:MODULE
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH80T120L2Q0S2G
ON

Produktbeschreibung:Поле бороздок модуля IGBT имеет предел установке PIM на базе 1200V 80A

пакет:MODULE
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH80T120L3Q0S3G
ON

Produktbeschreibung:20-PIM/Q0PACK (20-PIM/Q0PACK) устанавливается в основании на основании полумоста 120 V 75 A 188 W

пакет:20-PIM
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler