Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

NFAP0560L3TT
ON

Produktbeschreibung:Модуль IGBT трёхсторонний фазер 600 V 5 A 29 — PowerSSIP модуля двигателя мощности

пакет:SIP29
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH350N100H4Q2F2P1G
ON

Produktbeschreibung:Инвертор уровня 1000 V 303 A 276 W, установленный на базе 42-PIM

пакет:42-PIM
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH35C120L2C2SG
ON

Produktbeschreibung:Модуль IGBT состоит из трёх противоположных фазеров, с тормозными тормозами 1200 V, 35 A, 20 mW и

пакет:26-DIP
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH35C120L2C2ESG
ON

Produktbeschreibung:Модуль IGBT состоит из трёх противоположных фазеров, с тормозными тормозами 1200 V, 35 A, 20 mW и

пакет:26-DIP
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH50C120L2C2ESG
ON

Produktbeschreibung:Модуль IGBT состоит из трёх противоположных фазеров, с тормозами 1200 V, 50 A, 20 mW и 26 DIP

пакет:26-DIP
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH50C120L2C2ES1G
ON

Produktbeschreibung:Модуль IGBT состоит из трёх противоположных фазеров, с тормозами 1200 V, 50 A, 20 mW и 26 DIP

пакет:26-DIP
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH25C120L2C2SG
ON

Produktbeschreibung:Модуль IGBT состоит из трёх противоположных фазеров, с тормозами 1200 V, 25 A, 20 mW и 26-DIP

пакет:26-DIP
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH35C120L2C2S1G
ON

Produktbeschreibung:Модуль IGBT состоит из трёх противоположных фазеров, с тормозами 1200V 35A 20mW пропусками

пакет:26-DIP
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMTS0D7N04CTXG
ON

Produktbeschreibung:Силовой МОП-транзистор, одиночный N-канальный, 40 В, 0,67 мОм, 420 А

пакет:DFNW-8
10 шт.
2540
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL040N120SC1
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 мом, 1200 В, M1, TO-247-3L

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTTFD4D0N04HLTWG
ON

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 40В 15A (Ta), 60A (Tc) 1.7Вт (Ta), 26Вт (Tc) поверхностный монтаж 12-WQFN (3.3x3.3)

пакет:WQFN-12
10 шт.
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBG080N120SC1
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 мом, 1200 В, M1, D2PAK-7L

пакет:D2PAK-7
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L022N120M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 мом, 900 В, M2, TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBLS1D1N08H
ON

Produktbeschreibung:MOSFET - силовой, одиночный, N-канальный, TOLL, 80 В, 1,05 мОм, 351 A

пакет:8-HPSOF
10 шт.
3200
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVBLS001N06C
ON

Produktbeschreibung:MOSFET - силовой, одиночный, N-канальный, TOLL, 60 В, 0,9 мОм, 422 A

пакет:8-HPSOF
10 шт.
1200
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL080N120SC1A
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 мОм, 1200 В, M1, TO-247-3L

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler