Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

Интерфейс - последовательный цифровой интерфейс (SDI) ИС

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

IAUMN10S5N017G

Produktbeschreibung:100 В, N-Ch, 1,7 мОм макс, автомобильный MOSFET, mTOLG (8x8), OptiMOS™ 5

пакет:PG-TDSON-8
10 шт.
1680
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUCN08S7N019

Produktbeschreibung:80 В, N-Ch, 1,9 мОм макс, автомобильный MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS™ 7

пакет:PG-TDSON-8
10 шт.
1680
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUMN08S5N013G

Produktbeschreibung:Поверхностный монтаж N-канал 80 В 250A (Tj) 307W (Tc) PG-HSOG-4-1

пакет:PG-HSOG-4
10 шт.
1680
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQD016N08NM5SC

Produktbeschreibung:Силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ на 80 В в корпусе PQFN 5x6 Source-Down DSC с очень низким RDS(on).

пакет:PG-WHSON-8
10 шт.
1680
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUMN08S5N012G

Produktbeschreibung:Поверхностный монтаж N-канал 80 В 300A (Tj) 325W (Tc) PG-HSOG-4-1

пакет:PG-HSOG-4
10 шт.
1680
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUCN08S7N034

Produktbeschreibung:80 В, N-Ch, 3,4 мОм макс, автомобильный MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS™ 7

пакет:PG-TDSON-8
10 шт.
1680
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQD016N08NM5CGSC

Produktbeschreibung:Силовой MOSFET 80 В OptiMOS™ в корпусе PQFN 5x6 с нижним истоком и центральным затвором DSC

пакет:PG-WHTFN-9
10 шт.
1680
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUCN08S7N024

Produktbeschreibung:80 В, N-Ch, 2,4 мОм макс, автомобильный MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS™ 7

пакет:PG-TDSON-8
10 шт.
1680
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQD009N06NM5SC

Produktbeschreibung:Канал N 60 В 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) PG-WHSON-8-U02

пакет:PG-WHSON-8
10 шт.
1680
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQDH88N06LM5CGSC

Produktbeschreibung:Силовой МОП-транзистор OptiMOS™ на 60 В в корпусе PQFN 5x6 DSC

пакет:PG-WHTFN-9
10 шт.
1680
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQD009N06NM5CGSC

Produktbeschreibung:Канал N 60 В 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) PG-WHTFN-9-U02

пакет:PG-WHTFN-9
10 шт.
1680
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQDH88N06LM5SC

Produktbeschreibung:Силовой МОП-транзистор OptiMOS™ на 60 В в корпусе PQFN 5x6 с уменьшенным источником DSC

пакет:PG-WHSON-8
10 шт.
1680
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUMN04S7N006G

Produktbeschreibung:Автомобильный силовой MOSFET на 200 А, 40 В, с технологией OptiMOS™-7

пакет:PG-HSOG-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQD005N04NM6CGSC

Produktbeschreibung:OptiMOS™ Power MOSFET 40 В нормальный уровень

пакет:PG-WHTFN-9
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQDH45N04LM6SC

Produktbeschreibung:Силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ на 40 В в корпусе PQFN 5x6 Source-Down DSC с очень низким RDS(on)

пакет:PG-WHSON-8
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUMN04S7N009G

Produktbeschreibung:Автомобильный силовой MOSFET на 200 А, 40 В, с технологией OptiMOS™-7

пакет:PG-HSOG-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler