Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

IAUZN04S7N049

Produktbeschreibung:Автомобильный силовой MOSFET на 60 А, 40 В с технологией OptiMOS™-7

пакет:PG-TSDSON-8
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQDH29NE2LM5CGSC

Produktbeschreibung:25 В, N-канальный силовой MOSFET Транзистор, PG-WHTFN-9

пакет:PG-WHTFN-9
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BGA535N6

Produktbeschreibung:широкополосный маломощный малошумящий усилитель LNA IC для L1/L2/L5 GNSS приложений

пакет:PG-TSNP-6
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FS520R12A8P1LB

Produktbeschreibung:Модуль 1200 В, 520 А HybridPACK™ Drive G2

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FS03MR12A7MA2B

Produktbeschreibung:HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™ - компактный мостовой силовой модуль 1200В/310А B6

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FS3L40R12W2H7PB11

Produktbeschreibung:1200 В, 40 А, трехуровневый IGBT-модуль EasyPACK™ 2B

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIMZA75R008M1H

Produktbeschreibung:Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзистор

пакет:PG-TO247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF2600UXTR33T2M1

Produktbeschreibung:Карбидокремниевые MOSFET-модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF2000UXTR33T2M1

Produktbeschreibung:Карбидокремниевые MOSFET-модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IM64A130A

Produktbeschreibung:Высокопроизводительный аналоговый МЭМС-микрофон XENSIV™, PG-TLGA-4

пакет:PG-TLGA-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R034M2H

Produktbeschreibung:CoolSiC MOSFET дискретный 1200 V G2 TO-263-7

пакет:PG-TO263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPQC60T010S7A

Produktbeschreibung:600 В CoolMOS S7TA Мощность MOSFET

пакет:PG-HDSOP-22
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPQC60T010S7

Produktbeschreibung:600 В CoolMOS S7T Мощность MOSFET

пакет:PG-HDSOP-22
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPDQ60T010S7

Produktbeschreibung:600 В CoolMOS S7T Мощность MOSFET

пакет:PG-HDSOP-22
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPDQ60T010S7A

Produktbeschreibung:600 В CoolMOS S7TA Мощность MOSFET

пакет:PG-HDSOP-22
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQD063N15NM5SC

Produktbeschreibung:OptiMOS Мощность MOSFET 150 В

пакет:PG-WHSON-8
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler