Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

SCT3160KLGC11

Produktbeschreibung:Сквозное отверстие N-канальный 1200 В 17A (Тс) 103 Вт (Тс) TO-247N

пакет:TO-247-3
10 шт.
1254
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3022ALGC11

Produktbeschreibung:N-канальный 650 В 93A (Тс) 339 Вт (Тс) Сквозное отверстие TO-247N

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3080AW7TL

Produktbeschreibung:N-канальный 650В 29 А (Тс) 125 Вт для поверхностного монтажа TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3060ALHRC11

Produktbeschreibung:N-канальные 650 В 39A (Tc) 165 Вт со сквозным отверстием TO-247N

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3105KLGC11

Produktbeschreibung:Проходные N-канальные 1200 В 24A (Tc) 134W TO-247N

пакет:TO-247N
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3105KW7TL

Produktbeschreibung:N-канальный 1200 В 30 А (Тс) 125 Вт для поверхностного монтажа TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4036KRHRC15

Produktbeschreibung:1200 В, 43 А, 4-контактный THD, траншейная структура Автомобильный SiC-MOSFET

пакет:TO-247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4018KW7TL

Produktbeschreibung:1200 В, 75 А, 7-контактный THD, траншейная структура, SiC MOSFET

пакет:TO-263-7L
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3080KW7TL

Produktbeschreibung:N-канальный 1200 В 30 А (Тс) 159 Вт для поверхностного монтажа TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4013DW7TL

Produktbeschreibung:750 В, 98 А, 7-контактный THD, траншейная структура, SiC MOSFET

пакет:TO-263-7L
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4036KW7TL

Produktbeschreibung:1200 В, 40 А, 7-контактный THD, траншейная структура, SiC MOSFET

пакет:TO-263-7L
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4013DEC11

Produktbeschreibung:1200 В, 105 А, 3-контактный THD, траншейная структура, SiC MOSFET

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3030AW7TL

Produktbeschreibung:650В 70А, 7-контактный SMD, траншейная структура, SiC-MOSFET

пакет:TO-263-7L
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3160KW7TL

Produktbeschreibung:1200В 17А, 7-контактный SMD, траншейная структура, SiC-MOSFET

пакет:TO-263-7
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3060AW7TL

Produktbeschreibung:650В 38А, 7-контактный SMD, траншейная структура, SiC-MOSFET

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3040KRC14

Produktbeschreibung:Сквозное отверстие N-канальный 1200 В 55A (Tc) 262W TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
1300
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler