sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:SCT3080AW7TL
Руководство по данным:SCT3080AW7TL.pdf
бренд:ROHM
год выпуска:23+
пакет:TO-263-7
срок поставки:Новый оригинал.
количество запасов: 3000
Микросхема интегральной схемы N-канальные 650V 29A 125WSCT3080AW7TL транзисторы
Атрибуты продукта
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 650 В
Id - непрерывный ток стока: 29 A
Rds On - Сопротивление сток-исток: 104 мОм
Vgs - напряжение затвор-исток: - 4 В, + 22 В
Vgs th - пороговое напряжение источника затвора: 5,6 В
Qg - Заряд затвора: 48 нК
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Pd - рассеиваемая мощность: 125 W
Режим канала: Усиление
Время спада: 12 нс
Прямая транскондуктивность - мин: 3.8 S
Время нарастания: 13 нс
Типичное время задержки выключения: 17 нс
Типовое время задержки включения: 4 нс
Вес устройства: 1,600 г
Описание продукта
SCT3080AW7TL обеспечивают встроенную защиту от электростатического разряда и превосходное рассеивание тепла, что облегчает монтаж. Области применения включают высокую частоту коммутации и преобразователи высокой плотности.
Особенности
Способствует повышению эффективности преобразования мощности и уменьшению размеров
Отличное рассеивание тепла
Соответствует требованиям RoHS
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-HSOG-8
3000
120 В OptiMOS™ 6 силовой N-канальный MOSFET Транзистор, PG-HSOG-8
Wolfspeed
TO-247-3
2000
650 В, 60 мОм, 37 А Кремниевые карбидные силовые MOSFET-транзисторы в корпусе TO-247-3
Wolfspeed
TO-247-4
2000
650 В, 60 мОм, 37 А Кремниевые карбидные силовые MOSFET-транзисторы в корпусе TO-247-4
Wolfspeed
TO-247-3
2000
650V, 45mΩ, 49A Кремниевые карбидные силовые MOSFET транзисторы в корпусе TO-247-3
Wolfspeed
TO-263-7
2000
650 В, 45 мОм, 47 А, Карбид кремния Силовые MOSFET транзисторы TO-263-7
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ROHM Co., Ltd. является одним из ведущих мировых производителей полупроводников со штаб-квартирой в Киото, Япония. Компания ROHM разрабатывает и…
BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2 — нан кэп ™ 650V ид HEMT мощност IC, очен распространя на требовательн плотност энерговыделен и эффективн различн электрон систем. Уст…SCT3160KWATL
SCT3160KWATL — одно200v-канавка, разработанная компанией MOSFET 17A SiC(карбид кремния) с небольшой инкапсуляцией TO-263-7. Он характеризуется устойчивост…SCT3160KWAHRTL
SCT3160KWAHRTL () — автомобиль, выпускавшийся с использованием SiC(карбид кремния). Он характеризуется устойчивостью к давлению, низким проводящи…SCT3060ARC15
SCT3060ARC15 — многоступенчатая модель SiC (карбид кремния), разработанная для использования высокоэффективных серверов с электроэнергией, инв…SCT3080ARC15
SCT3080ARC15 — канальная решётка, применяемая в таких системах, как энергообеспечение, инвертор солнечной энергии и электромобильная зарядная…SCT3080ALHRC11
SCT3080ALHRC11 — это 650V SiC MOSFET, использующий структуру сетки канальных борозд. По сравнению с плоской SiC-MOSFET, сопротивление проводящего потока в р…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: