Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Приемопередатчик линии электропередачи Петля с фазовой автоподстройкой - PLL Приемопередатчик с радиочастотной выборкой Преобразователь уровня логики Интерфейсная ИС - многоскоростной ретаймер Расширитель SAS Модуль усилителя мощности Часы/Тиминг, Осцилляторы Часы/таймер - Нано-таймер Цифровой перекрестный переключатель Ультразвуковой приемопередатчик Часы/Тиминг - Линия задержки Контроллер считывания карт Логика - шлюзы и инверторы Передатчик Изолированный компаратор Высокоскоростной компаратор Интерфейс - многоскоростной таймер Контроллер USB Процессор сигналов ПЗС Фотометрические передние панели Изолирующие усилители Контроллер цифрового дисплея

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы Модули беспроводной связи

фильтр

SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио Soc

защита цепи

IC для подавления перенапряжения ESD подавители/TVS диоды Газоразрядные трубки - ГРТ / Газоплазменные ограничители TVS — гибридная технология

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Разъем USB Круглые разъемы Автомобильные разъемы Краевые разъемы карты Межплатные и мезонинные разъемы FFC, FPC (плоские гибкие) разъемы Разъемы объединительной панели Прямоугольные разъемы Коаксиальный разъем (РЧ) Прямоугольные разъемы — массив, край, мезонин (плата к плате)

Датчики

оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик Датчик движения-гироскоп Ультразвуковой приемник, передатчик (измерение расстояния) Сенсорный модуль Датчик давления Текущие датчики Емкостные сенсорные датчики

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Встраиваемые и сетевые процессоры

Безопасные процессоры
Первая страница /Интегральная схема (ИС)/силовое устройство/IGBT - биполярный транзистор с изолированным затвором

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

IGP30N65H5XKSA1

IGP30N65H5XKSA1

INFINEON

Produktbeschreibung:Канал IGBT 650 V 55 A 188 W-тоннель PG-TO220-3

пакет:PG-TO220-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IXYK120N120C3

IXYK120N120C3

IXYS

Produktbeschreibung:IGBT 1200 V, 240 A, 1500 W, сквозное отверстие TO-264 (IXYK)

пакет:TO-264
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IXYH10N170C

IXYH10N170C

IXYS

Produktbeschreibung:IGBT 1700 V, 36 A, 280 W-тоннель TO-247 (IXYH)

пакет:TO-247
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IXXX160N65B4

IXXX160N65B4

IXYS

Produktbeschreibung:IGBT PT 650 в 310 а 940 W говор отверст PLUS247 ™ - 3

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IXGA30N120B3

IXGA30N120B3

IXYS

Produktbeschreibung:IGBT PT 1200 V, 60 A, 300 W с поверхностной наклейкой TO-263AA

пакет:TO-263AA
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
RGS30TSX2GC11

RGS30TSX2GC11

ROHM

Produktbeschreibung:IGBT с рифленым полем отсечки 1200 В 30 А 267 Вт со сквозным отверстием TO-247N

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
RGTH80TK65GC11

RGTH80TK65GC11

ROHM

Produktbeschreibung:IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 31 A 66 Вт со сквозным отверстием TO-3PFM

пакет:TO-3PFM
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IKW50N65EH5XKSA1

IKW50N65EH5XKSA1

INFINEON

Produktbeschreibung:Канал IGBT 650 В 80 А 275 Вт сквозное отверстие PG-TO247-3

пакет:PG-TO247-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
RGTH50TK65DGC11

RGTH50TK65DGC11

ROHM

Produktbeschreibung:IGBT траншейного типа с отсечкой по полю 650 В 26 А 59 Вт со сквозным отверстием TO-3PFM

пакет:TO-3PFM
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
RGCL60TS60DGC13

RGCL60TS60DGC13

ROHM

Produktbeschreibung:IGBT с рифленым полем отсечки 600 В 48 А 111 Вт со сквозным отверстием TO-247G

пакет:TO-247G
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
RGTH50TS65DGC13

RGTH50TS65DGC13

ROHM

Produktbeschreibung:IGBT траншейного типа с отсечкой по полю 650 В 50 А 174 Вт со сквозным отверстием TO-247G

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STGWA50M65DF2

STGWA50M65DF2

ST

Produktbeschreibung:IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 80 А 375 Вт Сквозное отверстие TO-247 Длинные выводы

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STGB19NC60HDT4

STGB19NC60HDT4

ST

Produktbeschreibung:650 В, 8 А IGBT с антипараллельным диодом в корпусе TO-220

пакет:TO-263-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IKA08N65H5XKSA1

IKA08N65H5XKSA1

INFINEON

Produktbeschreibung:IGBT 650 В 10,8 А 31,2 Вт Сквозное отверстие PG-TO220-3-111

пакет:TO-220-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IKY75N120CH3XKSA1

IKY75N120CH3XKSA1

INFINEON

Produktbeschreibung:1200 В, 75 А IGBT с антипараллельным диодом в корпусе TO-247 PLUS

пакет:TO-247-4
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IXGH16N170

IXGH16N170

IXYS

Produktbeschreibung:IGBT-транзистор 32 ампера 1700 В 3,5 В Rds

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 782 записи«Предыдущая страница12345678...49Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler