Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
sales@hkmjd.com
sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Первая страница
/Интегральная схема (ИС)/силовое устройство/IGBT - биполярный транзистор с изолированным затвором/Однотрубный IGBT
наименование товара:IXGA30N120B3
бренд:IXYS
год выпуска:24+
пакет:TO-263
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
IXGA30N120B3 (IGBT) продукцией изолятор ix30n120b3, разработанной по технологии GenX3 IGBT, и использующей свою передовую технологию прохода (PT) для обеспечения более низкого напряжения насыщения, более низких переключателей и более высокой мощности тока волны.
спецификац
Тип IGBT: PT
Напряжение-коллекторный разрыв (максимум) : 1200 вт
Ток-коллектор (Ic) (максимум) : 60 A
Ток-коллекторный импульс (Icm) : 150 A
Различные Vge, Ic-часовой Vce(on) (максимум) : 3.5V @15V, 30A
Максимальная мощность - 300 вт
Энергия переключателя: 3,47 mJ (включено), 2,16 mJ (выключено)
Введен тип: стандарт
Заряд сетки: 87 нц
25 ° C Td (открыва/закрыва) сто: 16ns / 127ns
Тестирование: 960V, 30A, 5 ом, 15V
Температур работ: - 55 ° C - 150 ° C (ти дже)
Тип установки: тип поверхностной наклейки
Инкапсуляция/оболочка: TO-263-3, D2PAK (2 провода + выпуклость), TO-263AB
Упаковка оборудования поставщика: TO-263AA
Номер базового продукта: IXGA30
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
TO-247-3
3000
TRENCHSTOP ™ 5 S5 IGBT с жестким переключателем 650 В в упаковке TO247
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с отсечкой по полю 1200 В 50 А 395 Вт со сквозным отверстием TO-247N
INFINEON
TO-247-4
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 74 А 250 Вт сквозное отверстие PG-TO247-4-3
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 132 A 348 Вт Сквозное отверстие TO-247N
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT траншейного типа с полевым отключением 650 В 96 А 254 Вт со сквозным отверстием TO-247N
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 1200 В 50 А 395 Вт со сквозным отверстием TO-247N
INFINEON
PG-TO247-3
1000
IGBT С отсечкой по полю 650 В 80 А 333 Вт Сквозное отверстие PG-TO247-3
ROHM
TO-3PFM
1000
IGBT траншейного типа с отсечкой по полю 650 В 45 А 94 Вт со сквозным отверстием TO-3PFM
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 1200 В 30 А 267 Вт со сквозным отверстием TO-247N
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
IXYS со штаб-квартирой в Силиконовой долине, США, была основана в 1983 г. Основное направление деятельности: MOSFET, IGBT, тиристор, SCR, выпрямительн…
IXFX230N20T
IXFX230N20T - это высокопроизводительный силовой МОП-транзистор, предназначенный для работы с большими токами и высокими напряжениями.
VUO36-16NO8
VUO36-16NO8 - это высокопроизводительный трехфазный мостовой выпрямитель, предназначенный для применения в условиях высокого напряжения и бо…
IXSH80N120L2KHV
IXSH80N120L2KHV представляет собой мощный транзистор MOSFET из карбида кремния 1200 В с сопротивлением проводимости (RDS (on)) 30 мОм, что означает, что в с…
IXSH40N120L2KHV
IXSH40N120L2KHV представляет собой промышленный SiC MOSFET с напряжением 1200 В, низким сопротивлением проводимости и характеристиками высокоскорост…
IXSA80N120L2-7
IXSA80N120L2-7 представляет собой промышленный однокоммутационный SiC MOSFET с низкими потерями и быстрым переключением, который подходит для высо…
IXSA40N120L2-7
IXSA40N120L2-7 представляет собой промышленный однотрубный карбид кремния MOSFET (SiC MOSFET) с отличными характеристиками цикла мощности и быстрым по…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу:
