Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

BSC0901NSI

Produktbeschreibung:МОП-транзистор N-Ch 30V 100A TDSON-8

пакет:TDSON-8
10 шт.
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STW14NK50Z
ST

Produktbeschreibung:N-канальные 500 В - 0,34 Ом - 14 А - TO-247 SuperMESH(TM) Power MOSFETs

пакет:TO-247-3
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPC100N04S5-1R9

Produktbeschreibung:650 В IGBT с антипараллельным диодом в корпусе TO-247

пакет:TDSON-8
10 шт.
90000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPW60R120P7

Produktbeschreibung:Сквозное отверстие N-канал 600 В 26A (Tc) 95W (Tc) PG-TO247-3

пакет:PG-TO247-3
10 шт.
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKW75N65EH5

Produktbeschreibung:Канал IGBT 650 В 90 А 395 Вт сквозное отверстие PG-TO247-3

пакет:PG-TO247-3
10 шт.
50000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC010N04LST

Produktbeschreibung:Силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ 5 расширяют температурный диапазон для повышения надежности

пакет:TDSON-8
10 шт.
26800
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFH5215TRPBF

Produktbeschreibung:150V одноканальный N-канальный StrongIRFET ™ Power MOSFET в пакете PQFN 5x6

пакет:PQFN-8
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STW35N60DM2
ST

Produktbeschreibung:N канал 600 В, 0,094 Ом, 28 А MDmesh DM2 мощность MOSFET

пакет:TO-247-3
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPP051N15N5

Produktbeschreibung:Силовой транзистор OptiMOS™5, 150 В

пакет:TO-220-3
10 шт.
20000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CM225DX-24S1

Produktbeschreibung:Модуль IGBT блока 1200 В 225 А 2

пакет:Module
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM150GB120DN2

Produktbeschreibung:Модуль IGBT 1200V 150A DUAL

пакет:Module
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FZ1600R12HP4

Produktbeschreibung:Модуль IGBT с одним выключателем 1200 В, 1600 А

пакет:AG-IHMB130
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPB100N04S4-H2

Produktbeschreibung:40V N-Ch 2.4m OptiMOS ™ -T2 автомобильный MOSFET

пакет:D2PAK
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPB042N10N3G

Produktbeschreibung:Мощность 100V OptiMOS ™ 3 MOSFET в пакете D2PAK

пакет:D2PAK
10 шт.
6000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFH7084TRPBF

Produktbeschreibung:40 В Одноканальный N-канальный силовой МОП-транзистор StrongIRFET™ в корпусе PQFN 5x6

пакет:PQFN-8
10 шт.
25000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKW75N65ES5

Produktbeschreibung:TRENCHSTOP ™ 5 S5 IGBT с жестким переключателем 650 В в упаковке TO247

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 2454 записи«Предыдущая страница1234...154Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler