sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:RGTH50TK65DGC11
бренд:ROHM
год выпуска:24+
пакет:TO-3PFM
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
RGTH50TK65DGC11 - это энергосберегающие, высокоэффективные IGBT, которые могут использоваться в широком спектре высоковольтных и сильноточных приложений. Эти IGBT отличаются низким напряжением насыщения коллектора и эмиттера, большим временем короткого замыкания и встроенными быстродействующими FRD с плавным восстановлением. IGBT с каналом отсечки по полю идеально подходят для ИБП, кондиционеров, сварочных аппаратов и промышленных инверторов общего назначения.
Характеристики продукта
Тип IGBT: внутриканальная отсечка поля
Напряжение - пробой коллектора (макс.): 650 В
Ток - коллектор (Ic) (макс.): 26 A
Ток - коллекторный импульс (Icm): 100 A
Vce (вкл.) при различных Vge, Ic (макс.): 2,1 В при 15 В, 25 А
Мощность - макс: 59 Вт
Тип входа: стандартный
Заряд затвора 49 нК
Td при 25°C (включение/выключение): 27ns/94ns
Условия испытаний 400 В, 25 А, 10 Ом, 15 В
Время обратного восстановления (trr): 58ns
Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа: сквозное отверстие
Упаковка/корпус: TO-3PFM, SC-93-3
Корпус устройства поставщика: TO-3PFM
Области применения
● Автомобильные инверторы
● Автомобильные нагреватели
● Инверторы общего назначения
● Источники бесперебойного питания
● Кондиционеры питания
● Сварочные аппараты
● Коррекция коэффициента мощности (PFC)
● Кондиционеры питания
● Индукционный нагрев
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ROHM
TO-247GE
1500
Биполярный транзистор с изолированными воротами (IGBT) 5 мкс Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
Биполярный транзистор с изолированными воротами (IGBT) PT MOS 8 Combi 900 V 80 A TO-264
Microchip
TO-264-3
1500
Биполярный транзистор с изолированными воротами (IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
Биполярный транзистор с изолированными воротами (IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-247-3
2000
Биполярный транзистор с изолированными воротами (IGBT) PT MOS 7 Single 1200 V 35 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
Биполярный транзистор с изолированными воротами (IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
Биполярный транзистор с изолированными воротами (IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
Биполярный транзистор с изолированными воротами (IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-247-3
1500
Биполярный транзистор с изолированными воротами (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264 MAX, RoHS
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ROHM Co., Ltd. является одним из ведущих мировых производителей полупроводников со штаб-квартирой в Киото, Япония. Компания ROHM разрабатывает и…
RGE60TS65DGC13
RGE60TS65DGC13 имеет характеристики низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер, низких потерь при переключении и времени выдержки коротко…SCT4062KWATL
SCT4062KWATL представляет собой транзистор MOSFET мощностью 1200 V 24A N с каналом SiC.Особенности SCT4062KWATLНизкое сопротивлениеСкорость переключения.Бы…SCT4045DWATL
SCT4045DWATL представляет собой транзистор MOSFET мощностью 750 V 31A N с каналом SiC.Особенности SCT4045DWATLНизкое сопротивлениеСкорость переключения.Быс…SCT4045DWAHRTL
SCT4045DWAHRTL представляет собой транзистор MOSFET мощностью 750 В - 31А для автомобилей с N - каналом.Особенности SCT4045DWAHRTLСоответствует стандарту AEC …SCT4026DWATL
SCT4026DWATL представляет собой транзистор MOSFET мощностью 750 В 51А с каналом SiC.Особенности SCT4026DWATLНизкое сопротивлениеСкорость переключения.Быс…SCT2H12NZGC11
SCT2H12NGC11 представляет собой транзистор MOSFET мощностью 1700 В 3,7А с каналом SiC.Особенности SCT2H12NJGC11Низкое сопротивлениеСкорость переключения.Д…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: