Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Приемопередатчик линии электропередачи Петля с фазовой автоподстройкой - PLL Приемопередатчик с радиочастотной выборкой Преобразователь уровня логики Интерфейсная ИС - многоскоростной ретаймер Расширитель SAS Модуль усилителя мощности Часы/Тиминг, Осцилляторы Часы/таймер - Нано-таймер Цифровой перекрестный переключатель Ультразвуковой приемопередатчик Часы/Тиминг - Линия задержки Контроллер считывания карт Логика - шлюзы и инверторы Передатчик Изолированный компаратор Высокоскоростной компаратор Интерфейс - многоскоростной таймер Контроллер USB Процессор сигналов ПЗС Фотометрические передние панели Изолирующие усилители Контроллер цифрового дисплея

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы Модули беспроводной связи

фильтр

SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио Soc

защита цепи

IC для подавления перенапряжения ESD подавители/TVS диоды Газоразрядные трубки - ГРТ / Газоплазменные ограничители TVS — гибридная технология

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Разъем USB Круглые разъемы Автомобильные разъемы Краевые разъемы карты Межплатные и мезонинные разъемы FFC, FPC (плоские гибкие) разъемы Разъемы объединительной панели Прямоугольные разъемы Коаксиальный разъем (РЧ) Прямоугольные разъемы — массив, край, мезонин (плата к плате)

Датчики

оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик Датчик движения-гироскоп Ультразвуковой приемник, передатчик (измерение расстояния) Сенсорный модуль Датчик давления Текущие датчики Емкостные сенсорные датчики

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Встраиваемые и сетевые процессоры

Безопасные процессоры
Первая страница /Интегральная схема (ИС)/силовое устройство/IGBT - биполярный транзистор с изолированным затвором

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

CAB760M12HM3R

CAB760M12HM3R

Wolfspeed

Produktbeschreibung:Модуль питания 1200 В, 1,33 мОм с полумостовым распараллеливанием из карбида кремния

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
CAS480M12HM3

CAS480M12HM3

Wolfspeed

Produktbeschreibung:1200 В, 2,29 мОм, 62 мм HM Высокопроизводительный полумостовой SiC-модуль питания

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
CAS175M12BM3

CAS175M12BM3

Wolfspeed

Produktbeschreibung:1200 В, 8 мОм полумостовой карбидокремниевый модуль питания

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
CAB530M12BM3

CAB530M12BM3

Wolfspeed

Produktbeschreibung:1200 В 2,67 мОм 62 мм полумостовой SiC модуль питания

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
CAB450M12XM3

CAB450M12XM3

Wolfspeed

Produktbeschreibung:1200 В 2,6 мОм XM3 полумостовой SiC модуль питания

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
CAS530M12BM3

CAS530M12BM3

Wolfspeed

Produktbeschreibung:1200 В 2,67 мОм 62 мм полумостовой SiC модуль питания

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
WAB300M12BM3

WAB300M12BM3

Wolfspeed

Produktbeschreibung:Полумостовой модуль 1200 В, 300 А из карбида кремния

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH800H120L7QDSG

NXH800H120L7QDSG

ON

Produktbeschreibung:Модуль полумоста IGBT Qdual3 1200V 800A

пакет:PIM-11
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH100B120H3Q0PTG

NXH100B120H3Q0PTG

ON

Produktbeschreibung:1200 В модуль питания с двойным усилением

пакет:Модули
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IGLT65R055D2

IGLT65R055D2

INFINEON

Produktbeschreibung:650-вольтовый силовой транзистор CoolGaN™, помещенный в охлаждаемый с верхней стороны корпус TOLT

пакет:PG-HDSOP-16
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IGT65R055D2

IGT65R055D2

INFINEON

Produktbeschreibung:650 В G5 CoolGaN ™ e-mode силовой транзистор

пакет:PG-HSOF-8
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IGT65R035D2

IGT65R035D2

INFINEON

Produktbeschreibung:650 В G5 CoolGaN ™ e-mode силовой транзистор

пакет:PG-HSOF-8
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IGT65R025D2

IGT65R025D2

INFINEON

Produktbeschreibung:650 В G5 CoolGaN ™ e-mode силовой транзистор

пакет:PG-HSOF-8
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IGOT65R025D2

IGOT65R025D2

INFINEON

Produktbeschreibung:650 ви G5 CoolGaN ™ e-mode мощност транзистор

пакет:PG-DSO-20
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IGOT65R035D2

IGOT65R035D2

INFINEON

Produktbeschreibung:650 ви G5 CoolGaN ™ e-mode мощност транзистор

пакет:PG-DSO-20
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IGLD65R055D2

IGLD65R055D2

INFINEON

Produktbeschreibung:Мощный транзистор 650 В CoolGaN ™ e-mode

пакет:PG-LSON-8
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 782 записи«Предыдущая страница1234...49Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler