Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Приемопередатчик линии электропередачи Петля с фазовой автоподстройкой - PLL Приемопередатчик с радиочастотной выборкой Преобразователь уровня логики Интерфейсная ИС - многоскоростной ретаймер Расширитель SAS Модуль усилителя мощности Часы/Тиминг, Осцилляторы Часы/таймер - Нано-таймер Цифровой перекрестный переключатель Ультразвуковой приемопередатчик Часы/Тиминг - Линия задержки Контроллер считывания карт Логика - шлюзы и инверторы Передатчик Изолированный компаратор Высокоскоростной компаратор Интерфейс - многоскоростной таймер Контроллер USB Процессор сигналов ПЗС Фотометрические передние панели Изолирующие усилители Контроллер цифрового дисплея

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы Модули беспроводной связи

фильтр

SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио Soc

защита цепи

IC для подавления перенапряжения ESD подавители/TVS диоды Газоразрядные трубки - ГРТ / Газоплазменные ограничители TVS — гибридная технология

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Разъем USB Круглые разъемы Автомобильные разъемы Краевые разъемы карты Межплатные и мезонинные разъемы FFC, FPC (плоские гибкие) разъемы Разъемы объединительной панели Прямоугольные разъемы Коаксиальный разъем (РЧ) Прямоугольные разъемы — массив, край, мезонин (плата к плате)

Датчики

оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик Датчик движения-гироскоп Ультразвуковой приемник, передатчик (измерение расстояния) Сенсорный модуль Датчик давления Текущие датчики Емкостные сенсорные датчики

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Встраиваемые и сетевые процессоры

Безопасные процессоры
Первая страница /Интегральная схема (ИС)/силовое устройство/IGBT - биполярный транзистор с изолированным затвором

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

RGW50TK65DGVC11

RGW50TK65DGVC11

ROHM

Produktbeschreibung:IGBT траншейного типа с отсечкой по полю 650 В 30 А 67 Вт со сквозным отверстием TO-3PFM

пакет:TO-3PFM
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
RGW80TK65GVC11

RGW80TK65GVC11

ROHM

Produktbeschreibung:IGBT траншейного типа с отсечкой по полю 650 В 39 А 81 Вт со сквозным отверстием TO-3PFM

пакет:TO-3PFM
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
RGTV80TK65GVC11

RGTV80TK65GVC11

ROHM

Produktbeschreibung:IGBT траншейного типа с отсечкой по полю 650 В 39 А 85 Вт со сквозным отверстием TO-3PFM

пакет:TO-3PFM
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
RGW60TS65HRC11

RGW60TS65HRC11

ROHM

Produktbeschreibung:IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 64 А 178 Вт Сквозное отверстие TO-247N

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IKP06N60TXKSA1

IKP06N60TXKSA1

INFINEON

Produktbeschreibung:Поле типа IGBT имеет предел 600 V, 12 A, 88 W, PG-TO220-3-1

пакет:PG-TO220-3-1
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IKP10N60TXKSA1

IKP10N60TXKSA1

INFINEON

Produktbeschreibung:IGBT NPT, поляна типа канавы с ограничением 600 V - 20 A 110 W-PG-TO220-3-1

пакет:PG-TO220-3-1
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IKD10N60RC2ATMA1

IKD10N60RC2ATMA1

INFINEON

Produktbeschreibung:Поле IGBT-бороздок имеет предельный предел 600 V 18,8 A 79 W с поверхностной лентой PG-TO252-3

пакет:PG-TO252-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IKB20N60TATMA1

IKB20N60TATMA1

INFINEON

Produktbeschreibung:IGBT тип траншеи полевого отсека 600 В 40 А 166 Вт тип поверхностного монтажа PG-TO263-3-2

пакет:TO263
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IKQ120N60TXKSA1

IKQ120N60TXKSA1

INFINEON

Produktbeschreibung:Поле типа IGBT имеет предел в 600 V 160 A 833 W-PG- to47 -3-46

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
AIKQ200N75CP2XKSA1

AIKQ200N75CP2XKSA1

INFINEON

Produktbeschreibung:Канал IGBT 750 V, 200 A, 576 W-тоннель TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IKW40N120T2FKSA1

IKW40N120T2FKSA1

INFINEON

Produktbeschreibung:Канал IGBT каналом 1200 V 75 A 480 W PG- to47 -3-1

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IKW40N120H3FKSA1

IKW40N120H3FKSA1

INFINEON

Produktbeschreibung:Поле типа IGBT имеет предел в 1200 V 80 A 483 W PG- to47 -3-1

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IKW40T120FKSA1

IKW40T120FKSA1

INFINEON

Produktbeschreibung:IGBT NPT, поле канального типа с ограничением 1200 V 75 A 270 W-PG- to47 -3-1

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IHW20N120R5XKSA1

IHW20N120R5XKSA1

INFINEON

Produktbeschreibung:Обратный гид R5 IGBT 1200 V 40 A 288 W-PG- to47 -3

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IGW40N120H3FKSA1

IGW40N120H3FKSA1

INFINEON

Produktbeschreibung:Поле типа IGBT имеет предел в 1200 V 80 A 483 W PG- to47 -3-1

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IGW30N60H3FKSA1

IGW30N60H3FKSA1

INFINEON

Produktbeschreibung:Поле типа IGBT имеет предельный предел 600 V, 60 A, 187 W, PG- to47 -3-1

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 782 записи«Предыдущая страница1234567...49Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler