sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:IXYK120N120C3
бренд:IXYS
год выпуска:24+
пакет:TO-264-3
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 2000
Устройства IXYK120N120C3 оснащены самыми современными технологиями genx 3 IGBT и сверхсветовыми платформами разработки (XPT), имеющими такие характеристики, как высокая вычислительная мощность тока, высокоскоростной переключатель, низкий общий расход энергии и низкое время падения тока. IGBT обладает положительным температурным коэффициентом коллекторного напряжения-эмиттера, что позволяет дизайнерам использовать несколько устройств параллельно для выполнения высоких требований тока.
спецификац
Тип IGBT
Напряжение-коллекторный разрыв (максимум) : 1200 вт
Ток-коллектор (Ic) (максимум) : 240 A
Ток-коллекторный импульс (Icm) : 700 A
Различные Vge, Ic-часовой Vce(on) (максимум) : 3.2V @15V, 120A
Максимальная мощность - 1500 вт
Энергия переключателя: 6,75 МДЖ (включено), 5,1 МДЖ (выключено)
Введен тип: стандарт
Заряд сетки: 412 nC
25 ° C Td (открыва/закрыва) сто: 35ns / 176ns
Тестирование: 600V, 100A, 1 ом, 15V
Температур работ: - 55 ° C - 175 ° C (ти дже)
Тип установки: сквозное отверстие
Инкапсуляция/оболочка: TO-264-3, TO-264AA
Упаковка оборудования поставщика: TO-264 (IXYK)
Номер базового продукта: IXYK120
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с отсечкой по полю 1200 В 50 А 395 Вт со сквозным отверстием TO-247N
INFINEON
TO-247-4
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 74 А 250 Вт сквозное отверстие PG-TO247-4-3
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 132 A 348 Вт Сквозное отверстие TO-247N
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT траншейного типа с полевым отключением 650 В 96 А 254 Вт со сквозным отверстием TO-247N
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 1200 В 50 А 395 Вт со сквозным отверстием TO-247N
INFINEON
PG-TO247-3
1000
IGBT С отсечкой по полю 650 В 80 А 333 Вт Сквозное отверстие PG-TO247-3
ROHM
TO-3PFM
1000
IGBT траншейного типа с отсечкой по полю 650 В 45 А 94 Вт со сквозным отверстием TO-3PFM
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 1200 В 30 А 267 Вт со сквозным отверстием TO-247N
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 80 А 214 Вт Сквозное отверстие TO-247N
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
IXYS со штаб-квартирой в Силиконовой долине, США, была основана в 1983 г. Основное направление деятельности: MOSFET, IGBT, тиристор, SCR, выпрямительн…
IXTP160N10T
IXTP160N10T Описание:Силовые МОП-транзисторы IXYS Gen1 с траншейным затвором идеально подходят для приложений с низким напряжением/высоким током…MCB20P1200LB-TUR
MCB20P1200LB-TUR - это N-канальный 1200-вольтовый SiC MOSFET модуль.Технические характеристикиПродукт: Модули силовых МОП-транзисторов Тип: Полумостово…IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC - это N-канальный 1200V 47A SiC MOSFET модуль.Технические характеристикиТип: HiperFET Технология: SiC Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 В, + 20 В Стиль…IXYH8N250CHV
IXYH8N250CHV — 25 в 29 а сер IGBT высок давлен, устройств принят собствен XPT ™ BoJing круг техническ и наибол передов IGBT технологическ исследован, сопро…IXGX320N60B3
IXGX320N60B3 — среднечастотный IGBT, производимый с использованием технологии HDMOS IGBT для PT (пирсинга).600V GenX3 ™ направлен на ток прикладн оптимизир…IXBK55N300
IXBK55N300 — семейство IGBT, разработанное компанией ixbk55n300 для производства сверхвысокого напряжения.BiMOSFET имеет преимущества в совместве с MOSFE…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: