sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
бренд:
рисунок продукции
тип
марка
описание параметров
количество заказа
запасы
количество покупки
единичная цена
операция
Produktbeschreibung:750 V, великолепный SiC MOSFET
пакет:HDSOP-22Produktbeschreibung:CoolSiC™ MOSFET 400 В G2 в корпусе D2PAK-7 (TO-263-7), 15 мОм
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:CoolSiC™ MOSFET 400 В G2 в корпусе TOLL (PG-HSOF-8), 25 мОм
пакет:PG-HSOF-8Produktbeschreibung:Класс автомобилей 750 V, высококачественный SiC MOSFET
пакет:HDSOP-22Produktbeschreibung:CoolSiC™ MOSFET 400 В G2 в корпусе D2PAK-7 (TO-263-7), 25 мОм
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:Класс автомобилей 750 V, высококачественный SiC MOSFET
пакет:HDSOP-22Produktbeschreibung:CoolSiC™ MOSFET 400 В G2 в корпусе D2PAK-7 (TO-263-7), 36 мОм
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:CoolSiC™ MOSFET 400 В G2 в корпусе TOLL (PG-HSOF-8), 36 мОм
пакет:PG-HSOF-8Produktbeschreibung:Принят TO - 247-3 HCC инкапсуляц 1700 ви, 1000 м Ω CoolSiC усилител
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:Принят TO - 247-3 HCC инкапсуляц 1700 ви, 450 м Ω CoolSiC усилител
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:Дискретный CoolSiC MOSFET 1700 V, 650 MΩ в упаковке TO-247-3 HCC
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:MOSFET-массив 1200V (1,2 кв) 85A (Tj) устанавливается на базе AG-EASY2B
пакет:AG-EASY2BProduktbeschreibung:1200 В 150 А шестиячеечный модуль IGBT
пакет:МодульProduktbeschreibung:Сквозное отверстие N-канал 560 В 16A (Tc) 34 Вт (Tc) PG-TO220-3-31
пакет:TO-220FP-3Produktbeschreibung:MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
пакет:PG-TO263-3Produktbeschreibung:SRAM - асинхронная память IC 8Mb параллельно 55 нс 48-VFBGA (6x8)
пакет:48-VFBGAконтактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: