Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Интегральная схема интерфейса RS-232 Усилитель видео Приемопередатчик CAN Процессор управления сервером переключатель шины дифференциальный усилитель Аналоговый переключатель перекрестных точек Передатчик HDMI драйвер лазера ИС аналоговых переключателей Ультразвуковой приемник Мультиплексоры и демультиплексоры Видеопроцессор Видеокодер Интерфейс - последовательный цифровой интерфейс (SDI) ИС Искусственный интеллект чипы Интерфейс - Ретаймер трансимпедансный усилитель Ускоритель ближней памяти CXL и контроллер расширения памяти Аналоговый умножитель Интерфейсные микросхемы RS-422/RS-485 Изолированный CAN-трансивер Усилитель приборов

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы

фильтр

Полосно-задерживающие фильтры фильтр низких частот полосовой фильтр SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Микросхемы беспроводной связи Коммуникация ближнего поля (NFC) WiFi Bluetooth Wi-Fi Чип Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Модули беспроводной связи Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио SoC

ИИ процессорный чип

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Биполярные (BJT) транзисторы Карбид кремния (SiC) JFET Кремниевые диоды силовой модуль Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер наддува Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Обжимной проводной разъем Коннектор Nearstack ExtremePort Swift Разъемы Multi-Trak™ Разъемы Разъемы VITA 67.3 Разъемы SpaceVPX VITA 78 Разъем ExtremePort Z-Link Разъемы Displayport Магнитные джековые разъемы Разъемы SAS/PCIe 5.0 Разъемы SAS/PCIe 4.0 Мини-разъем USB Разъемы SFP112G Разъемы MiniSAS HD Разъемы OSFP-XD Разъемы DSFP Разъемы CXP Разъемы QSFP Разъемы OSFP Разъем SFP Разъемы CFP2 Разъемы ввода-вывода Mini Cool Edge Разъемы SlimSAS™ Разъемы Mini-SAS высокой плотности

Датчики

акселерометр Магнитно-резистивные датчики Датчик угла наклона Переключатели на эффекте Холла Индуктивный датчик Замки и переключатели с эффектом Холла Биосенсор Датчики времени пролета Кондиционеры сигналов датчиков оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM Контроллеры SSD AI Память F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Сеть резисторов

Первая страница /саморазгружающаяся продукция

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel NANYA FUJITSU OSRAM ASPEED Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

NXH003P120M3F2PTNG

NXH003P120M3F2PTNG

NXH003P120M3F2PTNG.pdf
ON

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 1200V 3mOhm 2, полумостовая топология, F2

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH003P120M3F2PTHG

NXH003P120M3F2PTHG

NXH003P120M3F2PTHG.pdf
ON

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 1200V 350A (Tc) 979W (Tc) был установлен

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NTMFS10N3D2C

NTMFS10N3D2C

NTMFS10N3D2C.PDF
ON

Produktbeschreibung:Поверхностный монтаж N-канальный 100 В 151 А (Тс) 138 Вт (Тс) Мощность56

пакет:8-PowerTDFN
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FFSB0865A

FFSB0865A

FFSB0865A.PDF
ON

Produktbeschreibung:Диод 650 В 15,4 А поверхностного монтажа D²PAK-3 (TO-263-3)

пакет:TO-263-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NTP150N65S3HF

NTP150N65S3HF

NTP150N65S3HF.PDF
ON

Produktbeschreibung:Канал N со сквозным отверстием 650 В 24 А (Тс) 192 Вт (Тс) TO-220-3

пакет:TO-220-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FDBL86366-F085

FDBL86366-F085

FDBL86366-F085.pdf
ON

Produktbeschreibung:Поверхностный монтаж N-канал 80 В 220 А (Tc) 300 Вт (Tj) 8-HPSOF

пакет:8-HPSOF
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH600B100H4Q2F2S1G

NXH600B100H4Q2F2S1G

NXH600B100H4Q2F2S1G.pdf
ON

Produktbeschreibung:Инвертор уровня 1000 V 192 A 511 W, установленный в третьем ярусе модуля IGBT

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NVMFS5C426NAFT1G

NVMFS5C426NAFT1G

NVMFS5C426NAFT1G.PDF
ON

Produktbeschreibung:Поверхностный монтаж N-канальный 40 В 41A (Ta), 235A (Tc) 3,8 Вт (Ta), 128 Вт (Tc)

пакет:8-PowerTDFN
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH600B100H4Q2F2PG

NXH600B100H4Q2F2PG

NXH600B100H4Q2F2PG.pdf
ON

Produktbeschreibung:Поле борозды модуля IGBT имеет предельный уровень антифаз на третьем уровне: 1000 V 192 A 511 W

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH600B100H4Q2F2SG

NXH600B100H4Q2F2SG

NXH600B100H4Q2F2SG.pdf
ON

Produktbeschreibung:Поле борозды модуля IGBT имеет предельный уровень антифаз на третьем уровне: 1000 V 192 A 511 W

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH240B120H3Q1P1G

NXH240B120H3Q1P1G

NXH240B120H3Q1P1G.pdf
ON

Produktbeschreibung:Три предельных поля для канального поля модуля IGBT, с двойным источником 1200 V 68 A 158 W

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FFSH40120ADN-F155

FFSH40120ADN-F155

FFSH40120ADN-F155.PDF
ON

Produktbeschreibung:Массив диодов 1 пара общий катод 1200 В 20 А сквозное отверстие TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH240B120H3Q1S1G

NXH240B120H3Q1S1G

NXH240B120H3Q1S1G.pdf
ON

Produktbeschreibung:Антифазовое поле модуля IGBT имеет уровень 1200 V 92 A 266 W для установки 32PIM

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NRVTS1245EMFST1G

NRVTS1245EMFST1G

NRVTS1245EMFST1G.PDF
ON

Produktbeschreibung:Диод 45 В 12 А поверхностного монтажа 5DFN (5x6) (8-SOFL)

пакет:5-DFN
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NVB150N65S3F

NVB150N65S3F

NVB150N65S3F.PDF
ON

Produktbeschreibung:Поверхностный монтаж N-канальный 650 В 24A (Tc) 192 Вт D²PAK-3 (TO-263-3)

пакет:TO-263-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH240B120H3Q1PG

NXH240B120H3Q1PG

NXH240B120H3Q1PG.pdf
ON

Produktbeschreibung:Три предельных поля для канального поля модуля IGBT, с двойным источником 1200 V 68 A 158 W

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 1589 записи«Предыдущая страница1... 4142434445464748...100Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler