Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

Сеть резисторов

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel NANYA FUJITSU OSRAM ASPEED Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

NXH003P120M3F2PTNG
ON

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 1200V 3mOhm 2, полумостовая топология, F2

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH003P120M3F2PTHG
ON

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 1200V 350A (Tc) 979W (Tc) был установлен

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS10N3D2C
ON

Produktbeschreibung:Поверхностный монтаж N-канальный 100 В 151 А (Тс) 138 Вт (Тс) Мощность56

пакет:8-PowerTDFN
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FFSB0865A
ON

Produktbeschreibung:Диод 650 В 15,4 А поверхностного монтажа D²PAK-3 (TO-263-3)

пакет:TO-263-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTP150N65S3HF
ON

Produktbeschreibung:Канал N со сквозным отверстием 650 В 24 А (Тс) 192 Вт (Тс) TO-220-3

пакет:TO-220-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FDBL86366-F085
ON

Produktbeschreibung:Поверхностный монтаж N-канал 80 В 220 А (Tc) 300 Вт (Tj) 8-HPSOF

пакет:8-HPSOF
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH600B100H4Q2F2S1G
ON

Produktbeschreibung:Инвертор уровня 1000 V 192 A 511 W, установленный в третьем ярусе модуля IGBT

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS5C426NAFT1G
ON

Produktbeschreibung:Поверхностный монтаж N-канальный 40 В 41A (Ta), 235A (Tc) 3,8 Вт (Ta), 128 Вт (Tc)

пакет:8-PowerTDFN
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH600B100H4Q2F2PG
ON

Produktbeschreibung:Поле борозды модуля IGBT имеет предельный уровень антифаз на третьем уровне: 1000 V 192 A 511 W

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH600B100H4Q2F2SG
ON

Produktbeschreibung:Поле борозды модуля IGBT имеет предельный уровень антифаз на третьем уровне: 1000 V 192 A 511 W

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH240B120H3Q1P1G
ON

Produktbeschreibung:Три предельных поля для канального поля модуля IGBT, с двойным источником 1200 V 68 A 158 W

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FFSH40120ADN-F155
ON

Produktbeschreibung:Массив диодов 1 пара общий катод 1200 В 20 А сквозное отверстие TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH240B120H3Q1S1G
ON

Produktbeschreibung:Антифазовое поле модуля IGBT имеет уровень 1200 V 92 A 266 W для установки 32PIM

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NRVTS1245EMFST1G
ON

Produktbeschreibung:Диод 45 В 12 А поверхностного монтажа 5DFN (5x6) (8-SOFL)

пакет:5-DFN
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVB150N65S3F
ON

Produktbeschreibung:Поверхностный монтаж N-канальный 650 В 24A (Tc) 192 Вт D²PAK-3 (TO-263-3)

пакет:TO-263-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH240B120H3Q1PG
ON

Produktbeschreibung:Три предельных поля для канального поля модуля IGBT, с двойным источником 1200 V 68 A 158 W

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler