Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

Интерфейс - последовательный цифровой интерфейс (SDI) ИС

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

S25HS01GTFAMHI010

Produktbeschreibung:FLASH - NOR память IC 1Gb SPI - Quad I/O, QPI 166 MHz 16-SOIC

пакет:16-SOIC
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S29JL064J55BHI003

Produktbeschreibung:ИС FLASH - NOR памяти 64 Мбит параллельная 55 нс

пакет:48-FBGA
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S25HS512TFABHI010

Produktbeschreibung:FLASH - NOR память IC 512Mb SPI - Quad I/O 166 MHz 24-BGA (8x6)

пакет:24-BGA
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S25HS512TDPBHI010

Produktbeschreibung:FLASH - NOR память IC 512Mb SPI - Quad I/O 133 MHz 24-BGA (8x6)

пакет:24-BGA
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S25HL512TDPMHB010

Produktbeschreibung:FLASH - NOR память IC 512Mb SPI - Quad I/O, QPI 133 MHz 16-SOIC

пакет:16-SOIC
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPN70R600P7S

Produktbeschreibung:Тип поверхностного монтажа N-канальный 700 В 8,5 А (Тс) 6,9 Вт (Тс) PG-SOT223

пакет:SOT-223
10 шт.
12000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R014M1H

Produktbeschreibung:МОП-транзисторы на карбиде кремния 1200 В 14 мОм CoolSiC™ в корпусе TO247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMYH200R075M1H

Produktbeschreibung:CoolSiC™ 2000 В SiC траншейные МОП-транзисторы в корпусе TO-247PLUS-4-HCC

пакет:TO-247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMYH200R012M1H

Produktbeschreibung:CoolSiC™ 2000 В SiC траншейные МОП-транзисторы в корпусе TO-247PLUS-4-HCC

пакет:TO-247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R048M1H

Produktbeschreibung:Компактный SMD корпус SiC MOSFETs

пакет:TO-263-7
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R045M1H

Produktbeschreibung:МОП-транзисторы карбидкремниевые на 1200 В CoolSiC™ в корпусе TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R030M1H

Produktbeschreibung:650 В CoolSiC™ MOSFET - карбид кремния (SiC) MOSFET в 3-контактном корпусе TO247

пакет:TO-247-3
10 шт.
1920
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R027M1H

Produktbeschreibung:650 В CoolSiC™ MOSFET - карбид кремния (SiC) MOSFET в 4-контактном корпусе TO247

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R350M1H

Produktbeschreibung:Карбидокремниевые МОП-транзисторы 1200 В CoolSiC™ траншейного типа в корпусе TO247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R060M1H

Produktbeschreibung:МОП-транзисторы карбидкремниевые на 1200 В CoolSiC™ в корпусе TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
1200
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R090M1H

Produktbeschreibung:Карбидокремниевые МОП-транзисторы на 1200 В CoolSiC™ траншейного типа в корпусе TO247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler