Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

STM32WB15CCU6
ST

Produktbeschreibung:IC RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v5.2 2.4GHz 48-UFQFN Открытая площадка

пакет:UFQFPN-48
10 шт.
7800
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STM32WB10CCU5
ST

Produktbeschreibung:IC RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v5.3 2.4GHz 48-UFQFN Открытая площадка

пакет:UFQFPN-48
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT1000N170AG
ST

Produktbeschreibung:Канал SiCFET N канал 1700V 7A HIP247

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STM32WBA52CEU6
ST

Produktbeschreibung:IC RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v5.3 2.4GHz 48-UFQFN Открытая площадка

пакет:48-UFQFN
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STM32WBA52CGU6
ST

Produktbeschreibung:IC RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v5.3 2.4GHz 48-UFQFN Открытая площадка

пакет:48-UFQFN
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT070HU120G3AG
ST

Produktbeschreibung:SiCFET 1200 V 30A HU3PAK с обшивкой поверхности

пакет:HU3PAK
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT070H120G3AG
ST

Produktbeschreibung:Прикрепл к поверхн SiCFET тип 1200V 30A 63m Ω H2PAK - 7

пакет:H2PAK-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT040HU65G3AG
ST

Produktbeschreibung:Поверхностный пролив N, 650 V 30A 221W HU3PAK

пакет:HU3PAK
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT040H65G3AG
ST

Produktbeschreibung:Поверхностная пластинка N-канала 650V 30A 221W H2PAK-7

пакет:H2PAK-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT040H120G3AG
ST

Produktbeschreibung:Автомобиль класса SiCFET 1200V, 40A H2PAK-7

пакет:H2PAK-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT020H120G3AG
ST

Produktbeschreibung:Автомобиль класса SiCFET 1200V, 100A H2PAK-7

пакет:H2PAK-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT018H65G3AG
ST

Produktbeschreibung:Автомобиль класса SiCFET 650V, 55A H2PAK-7

пакет:H2PAK-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT011H75G3AG
ST

Produktbeschreibung:Автомобиль класса SiCFET 750V 110A H2PAK-7

пакет:H2PAK-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT012H90G3AG
ST

Produktbeschreibung:Автомобиль класса SiCFET 900V 110A H2PAK-7

пакет:H2PAK-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCTWA70N120G2V
ST

Produktbeschreibung:Мощность карбида кремния MOSFET 1200V, 91A HiP247

пакет:HIP247
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT040W120G3AG
ST

Produktbeschreibung:Мощность карбида кремния класса MOSFET 1200V 40A HIP247

пакет:HIP247
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler