sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
бренд:
рисунок продукции
тип
марка
описание параметров
количество заказа
запасы
количество покупки
единичная цена
операция
Produktbeschreibung:Транзисторы SiC FET 750V 23mohm
пакет:MO-229-8Produktbeschreibung:SiC FET транзисторы 750 В, 10,7 мОм
пакет:MO-229-8Produktbeschreibung:SiC FET транзисторы 750 В, 10,7 мОм
пакет:MO-229-8Produktbeschreibung:1200 В, 30 мОм G4 SiC FET Дискретные транзисторы
пакет:D2PAK-7Produktbeschreibung:1200 В, 30 мОм G4 SiC FET Дискретные транзисторы
пакет:D2PAK-7Produktbeschreibung:1200 В, 30 мОм G4 SiC FET Дискретные транзисторы
пакет:D2PAK-7Produktbeschreibung:MOSFET 1200V, 23mΩ G4 SiC FET транзисторы
пакет:D2PAK-7Produktbeschreibung:MOSFET 1200V, 23mΩ G4 SiC FET транзисторы
пакет:D2PAK-7Produktbeschreibung:MOSFET 1200V, 23mΩ G4 SiC FET транзисторы
пакет:D2PAK-7Produktbeschreibung:MOSFET 750V, 18mohm G4 SiC FET Транзисторы
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:MOSFET 750V, 58mohm G4 SiC FET транзисторы
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:MOSFET 750V, 58mohm G4 SiC FET транзисторы
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:MOSFET 750V, 58mohm G4 SiC FET транзисторы
пакет:MO-229-8Produktbeschreibung:MOSFET 750V, 33mohm G4 SiC FET Транзисторы
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:Модуль полного моста SiC 1200 В, 15 А
пакет:ModuleProduktbeschreibung:MOSFET 750V, 33mohm G4 SiC FET Транзисторы
пакет:D2PAK-7контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: