Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Расширитель SAS Модуль усилителя мощности Часы/Тиминг, Осцилляторы Часы/таймер - Нано-таймер Цифровой перекрестный переключатель Ультразвуковой приемопередатчик Часы/Тиминг - Линия задержки Контроллер считывания карт Логика - шлюзы и инверторы Передатчик Изолированный компаратор Высокоскоростной компаратор Интерфейс - многоскоростной таймер Контроллер USB Процессор сигналов ПЗС Фотометрические передние панели Изолирующие усилители Контроллер цифрового дисплея Цифровой контроллер Аудиопроцессоры Фотоэлектрическая продукция Аттенюатор приводной усилитель

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы Модули беспроводной связи

фильтр

Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио Soc

защита цепи

IC для подавления перенапряжения ESD подавители/TVS диоды Газоразрядные трубки - ГРТ / Газоплазменные ограничители TVS — гибридная технология

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Круглые разъемы Автомобильные разъемы Краевые разъемы карты Межплатные и мезонинные разъемы FFC, FPC (плоские гибкие) разъемы Разъемы объединительной панели Прямоугольные разъемы Коаксиальный разъем (РЧ) Прямоугольные разъемы — массив, край, мезонин (плата к плате)

Датчики

Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики - датчики освещенности, инфракрасные датчики, ультрафиолетовые датчики Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Оптические датчики - окружающее освещение Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик Датчик движения-гироскоп Ультразвуковой приемник, передатчик (измерение расстояния) Оптические датчики - Отражающие - Логический выход Сенсорный модуль Датчик давления Текущие датчики Емкостные сенсорные датчики Интерфейс "плата-машина" Датчики эффекта Холла/магнитные датчики

Память

Флэш-память NOR оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

волоконно-оптический модуль

волоконно-оптический передатчик
Первая страница /дискретный полупроводник/Транзистор - FET, MOSFET - Массив

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

NVJD4158CT1G

NVJD4158CT1G

ON

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 30V 270mW (Ta) с поверхностной наклейкой SC-88

пакет:SC-88
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NVJD4152PT1G

NVJD4152PT1G

ON

Produktbeschreibung:Двухканальная канальная канальная защита ESD MOSFET 20V, 0.88A, 260mΩ

пакет:SC-88
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NTMFSC006N12MC

NTMFSC006N12MC

ON

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 120V 2.7W (Ta), 104W (Tc) поверхностная пластинка 8DFN

пакет:8-DFN
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NVMFD5C680NLT1G

NVMFD5C680NLT1G

ON

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 60V 7.5A (Ta), 26A (Tc) 3W (Ta), 19W (Tc) поверхностная пластинка 8DFN

пакет:8-DFN
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NVMFD5C470NT1G

NVMFD5C470NT1G

NVMFD5C470NT1G.pdf
ON

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 40V 11,7 A (Ta), 36A (Tc) 3.1W (Ta), 28W (Tc) поверхностная пластинка 8DFN

пакет:8-DFN
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NVMFD6H846NLT1G

NVMFD6H846NLT1G

NVMFD6H846NLT1G.pdf
ON

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 80V 994 A (Ta), 31A (Tc) 3 W (Ta), 34W (Tc) поверхностная пластинка 8DFN

пакет:8-DFN
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NVTFWS052P04M8LTAG

NVTFWS052P04M8LTAG

NVTFWS052P04M8LTAG.PDF
ON

Produktbeschreibung:P-канал 40 В 4.7A (Ta), 13.2A (Tc) 2.9W (Ta), 23W (Tc) Монтаж на поверхность 8-WDFN (3.3x3.3)

пакет:WDFN-8
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NTTFD021N08C

NTTFD021N08C

NTTFD021N08C.PDF
ON

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 80В 6A (Ta), 24A (Tc) 1.7W (Ta), 26W (Tc) поверхностный монтаж 12-WQFN (3.3x3.3)

пакет:12-WQFN
10 шт.
10
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXV08H350XT1

NXV08H350XT1

NXV08H350XT1.pdf
ON

Produktbeschreibung:Модуль MOSFET с двойным полумостом 80V через отверстие APM17-MDC

пакет:17-PowerDIP
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FTCO3V455A2

FTCO3V455A2

FTCO3V455A2.pdf
ON

Produktbeschreibung:Модуль MOSFET-массив 40V 150A 115W

пакет:MOD−19
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FTCO3V455A1

FTCO3V455A1

FTCO3V455A1.pdf
ON

Produktbeschreibung:Модуль MOSFET-массив 40V 150A 115W

пакет:APMCB-A19
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NTTFD9D0N06HLTWG

NTTFD9D0N06HLTWG

NTTFD9D0N06HLTWG.PDF
ON

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 60 В 9A (Ta), 38A (Tc) 1.7W (Ta), 26W (Tc) поверхностный монтаж 12-WQFN (3.3x3.3)

пакет:12-WQFN
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH010P90MNF1PTG

NXH010P90MNF1PTG

NXH010P90MNF1PTG.PDF
ON

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 900 В 154 А (Tc) 328 Вт (Tj) для монтажа на шасси

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NVMFD5C470NLWFT1G

NVMFD5C470NLWFT1G

NVMFD5C470NLWFT1G.PDF
ON

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 40В 11A (Ta), 36A (Tc) 3Вт (Ta), 24Вт (Tc) поверхностный монтаж

пакет:8-DFN
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NTMFD024N06CT1G

NTMFD024N06CT1G

NTMFD024N06CT1G.pdf
ON

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 60В 8A (Ta), 24A (Tc) 3.1W (Ta), 28W (Tc) поверхностный монтаж

пакет:8-DFN
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NVMFD5C668NLT1G

NVMFD5C668NLT1G

NVMFD5C668NLT1G.pdf
ON

Produktbeschreibung:Массивы MOSFET 60В 15,5А (Ta), 68А (Tc) 3Вт (Ta), 57,5Вт (Tc) поверхностный монтаж

пакет:8-DFN
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 29 записи«Предыдущая страница12Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler