sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:NVJD4158CT1G
бренд:ON
год выпуска:24+
пакет:SC-88
срок поставки:Новый оригинал.
количество запасов: 2000
NVJD4158CT1G — дополня друг друг, маленьк сигна усилител, SC − 88 инкапсуляц. Этот прибор сертифицирован AEC-Q101 и соответствует процедуре лицензирования (PPAP) для автомобилей с низкой мощностью.
Свойство продукции
Технология: MOSFET (окисел металла)
Конфигурация: N и P траншеи
Функция FET: стандарт
Напряжение утечки (Vdss) : 30V
25 ° C ток-утечк подряд очен (Id) : 250mA (та), 880mA (та)
Различные Id, Vgs-часовое сопротивление (максимум) : 1,5 om @10ma, 4.5V
Различн Id Vgs когд (th) (максимум) : 1,5 в @ 100 МКМ а
Различные заряды сетки Vgs-часов (Qg) (максимум) : 1,5 nC @5v, 3,5 nC @5v
Во время различных Vds-часов входная ёмкость (Ciss) (максимум) : 20pF @5v
Максимальная мощность: 270mW (Ta)
Температур работ: - 55 ° C - 150 ° C (ти дже)
Уровень: автомобильный уровень
Квалификация: AEC-Q101
Тип установки: тип поверхностной наклейки
Упаковка/оболочка: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Упаковка оборудования поставщика: SC-88/SC70-6/SOT-363
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ST
8-PowerVDFN
2000
Двухканальные N-канальные силовые MOSFET-транзисторы STripFET™ F7 автомобильного класса
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 1700В (1,7кВ), 1200В (1,2кВ) 337А (Тс), 317А (Тс) 1,492кВт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200В (1,2кВ), 700В 472А (Тс), 442А (Тс) 1,846кВт (Тс), 1,161кВт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
10000
MOSFET - массивы 1700 В (1,7 кВ), 1200 В (1,2 кВ) 124 А (Тс), 89 А (Тс) 602 Вт (Тс), 395 Вт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 1200В (1,2кВ), 700В 317А (Тс), 227А (Тс) 1,253кВт (Тс), 613Вт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 1200 В (1,2 кВ), 700 В 89A (Tc), 124A (Tc) 395 Вт (Tc), 365 Вт (Tc) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 700V 52A (Tc), 110A (Tc) 141W (Tc), 292W (Tc) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 420 А (Тс) 1,753 кВт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 79A 310 Вт для установки на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 173 А (Тс) 745 Вт (Тс) Крепление на шасси
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
NB3U1548CDTR2G
NB3U1548CDTR2G - это LVCMOS-буфер, устойчивый к перенапряжению, для генерации тактовых импульсов в высокопроизводительных телекоммуникационных, с…NCV7708FDWR2G
Полностью защищенный шестиполосный полумостовой драйвер NCV7708FDWR2G особенно подходит для автомобильных и промышленных систем управления …AR0233ATSC17XUEA1-DPBR
Датчик изображения AR0233ATSC17XUEA1-DPBR обеспечивает исключительную чувствительность для широкого спектра автомобильных приложений. Он имеет а…SNXH160T120L2Q1PG
SNXH160T120L2Q1PG Этот интегрированный модуль питания высокой плотности сочетает в себе высокопроизводительный IGBT и надежный антипараллельный…NVMFD5C672NLT1G
NVMFD5C672NLT1G - автомобильный силовой MOSFET в корпусе 5x6 мм с плоским выводом, разработанный для компактных и эффективных конструкций и обладающ…NVMFD5C466NWFT1G
NVMFD5C466NWFT1G - автомобильный силовой MOSFET в корпусе 5x6 мм с плоским выводом, разработанный для компактных и эффективных конструкций и обладающ…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: