sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:NTMFD024N06CT1G
Руководство по данным:NTMFD024N06CT1G.pdf
бренд:ON
год выпуска:23+
пакет:8-DFN
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
N-канальные MOSFET NTMFD024N06CT1G - это 60-вольтовые MOSFET, изготовленные по передовому силовому траншейному техпроцессу (в сочетании с технологией экранированного затвора). Техпроцесс оптимизирован для минимизации сопротивления включения, а для поддержания отличных характеристик переключения используются превосходные мягкие диоды.
Атрибуты изделия
Технология: MOSFET (металл-оксид)
Конфигурация: 2 N-канальных (сдвоенных)
Напряжение сток-исток (Vdss): 60 В
Ток при 25°C - непрерывный слив (Id): 8A (Ta), 24A (Tc)
Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 22,6 мОм @ 3A, 10V
Vgs(th) при различных Id (макс.): 4 В при 20 мкА
Заряд затвора (Qg) при Vgs (макс.): 5.7nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) при Vds (макс.): 333pF @ 30V
Мощность - макс: 3,1 Вт (Ta), 28 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа: поверхностный монтаж
Упаковка/корпус: 8-PowerTDFN
Комплект поставки: 8-DFN (5x6) с двойной маркировкой (SO8FL - двухканальный)
Типовые применения
Электроинструменты, аккумуляторные пылесосы
Дроны/беспилотные летательные аппараты, обработка материалов
BMS/хранилища, домашняя автоматика
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ST
8-PowerVDFN
2000
Двухканальные N-канальные силовые MOSFET-транзисторы STripFET™ F7 автомобильного класса
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 1700В (1,7кВ), 1200В (1,2кВ) 337А (Тс), 317А (Тс) 1,492кВт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200В (1,2кВ), 700В 472А (Тс), 442А (Тс) 1,846кВт (Тс), 1,161кВт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
10000
MOSFET - массивы 1700 В (1,7 кВ), 1200 В (1,2 кВ) 124 А (Тс), 89 А (Тс) 602 Вт (Тс), 395 Вт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 1200В (1,2кВ), 700В 317А (Тс), 227А (Тс) 1,253кВт (Тс), 613Вт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 1200 В (1,2 кВ), 700 В 89A (Tc), 124A (Tc) 395 Вт (Tc), 365 Вт (Tc) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 700V 52A (Tc), 110A (Tc) 141W (Tc), 292W (Tc) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 420 А (Тс) 1,753 кВт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 79A 310 Вт для установки на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 173 А (Тс) 745 Вт (Тс) Крепление на шасси
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
NCV5661MN12T2G
NCV5661MN12T2G - это высокопроизводительный линейный регулятор с низким коэффициентом разрядки (LDO) для мощных приложений, требующих до 1,0 А.NCV33202VDR2G
Операционные усилители NCV33202VDR2G обеспечивают работу по схеме рельс в рельс как на входе, так и на выходе. Входные сигналы могут выводиться…NB6N11SMNG
NB6N11SMNG - дифференциальный приемник тактовых сигналов и данных 1:2, принимающий входные сигналы AnyLevelTM: LVPECL, CML, LVCMOS, LVTTL или LVDS, которые преобра…AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD - это биполярный транзистор с изолированными воротами (IGBT), сертифицированный AEC Q101, с прочной и экономически эффективной структу…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW представляет собой одноканальный биполярный транзистор с изолированными воротами 1200V 25A (IGBT), который использует прочную и эконо…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD представляет собой биполярный транзистор с изолированными воротами 600 В (IGBT), который в основном используется в силовом электронн…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: