sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
бренд:
рисунок продукции
тип
марка
описание параметров
количество заказа
запасы
количество покупки
единичная цена
операция
Produktbeschreibung:650 В IGBT с антипараллельным диодом в корпусе TO-247
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 В
пакет:D2PAK-3Produktbeschreibung:IGBT на 600 В, 15 А с антипараллельным диодом в корпусе TO-220 Full-Pak
пакет:PG-TO220-3Produktbeschreibung:800 В, CoolMOS™ Power Transistor, PG-TO252-3
пакет:PG-TO252-3Produktbeschreibung:600 В CoolMOS™ P7 Superjunction (SJ) MOSFET - N-канальный силовой MOSFET-транзистор
пакет:TO-220-3Produktbeschreibung:CoolMOS N-канальные силовые MOSFET транзисторы
пакет:TO-220FP-3Produktbeschreibung:Тиристорный модуль 1600В 900А 60мм
пакет:МодульProduktbeschreibung:Автомобильные МОП-транзисторы OptiMOS™-5 на 80 В 2,9 мОм
пакет:HSOF-8Produktbeschreibung:Сквозное отверстие N-канал 100 В 160 А (Тс) 430 Вт (Тс) TO-220-3
пакет:TO-220-3Produktbeschreibung:650 В, 50 А IGBT с антипараллельным диодом в корпусе TO-247
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:750 В, 10 мОм Комбо-транзистор, SiC JFET с Si MOSFET
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:Модуль питания 400 В с одним диодом
пакет:МодульProduktbeschreibung:Модуль питания 750 В автомобильный ACEPACK DRIVE
пакет:МодульProduktbeschreibung:Силовые МОП-транзисторы 40 В OptiMOS™
пакет:DSO-8Produktbeschreibung:Силовые МОП-транзисторы 40 В OptiMOS™
пакет:DSO-8Produktbeschreibung:Силовые МОП-транзисторы 30 В OptiMOS™
пакет:DSO-8контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: