sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:NVTFWS052P04M8LTAG
Руководство по данным:NVTFWS052P04M8LTAG.PDF
бренд:ON
год выпуска:23+
пакет:WDFN-8
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
NVTFWS052P04M8LTAG - 40 В одноканальные P-канальные силовые MOSFET транзисторы
Описание продукта
NVTFWS052P04M8LTAG - автомобильные силовые MOSFET-транзисторы в корпусе 3.3x3.3 wDFN8, предназначенные для компактных и эффективных конструкций и обладающие высокими тепловыми характеристиками. МОП-транзисторы, прошедшие квалификацию AEC-Q101 и способные работать по PPAP, подходят для автомобильных приложений, требующих повышенной надежности на уровне платы.
Атрибуты продукта
Тип транзистора P-канальный
Технология MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss) 40 В
Ток - непрерывный ток стока (Id) @ 25°C 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Напряжение питания (макс. Rds On, мин. Rds On) 4,5 В, 10 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 95µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 6.3 nC @ 10 В
Vgs (макс.) ±20 В
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 424 пФ @ 20 В
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,9 Вт (Ta), 23 Вт (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс Автомобильный
Квалификация AEC-Q101
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства 8-WDFN (3.3x3.3)
Упаковка / корпус 8-PowerWDFN
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ST
8-PowerVDFN
2000
Двухканальные N-канальные силовые MOSFET-транзисторы STripFET™ F7 автомобильного класса
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 1700В (1,7кВ), 1200В (1,2кВ) 337А (Тс), 317А (Тс) 1,492кВт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200В (1,2кВ), 700В 472А (Тс), 442А (Тс) 1,846кВт (Тс), 1,161кВт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
10000
MOSFET - массивы 1700 В (1,7 кВ), 1200 В (1,2 кВ) 124 А (Тс), 89 А (Тс) 602 Вт (Тс), 395 Вт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 1200В (1,2кВ), 700В 317А (Тс), 227А (Тс) 1,253кВт (Тс), 613Вт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 1200 В (1,2 кВ), 700 В 89A (Tc), 124A (Tc) 395 Вт (Tc), 365 Вт (Tc) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 700V 52A (Tc), 110A (Tc) 141W (Tc), 292W (Tc) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 420 А (Тс) 1,753 кВт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 79A 310 Вт для установки на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 173 А (Тс) 745 Вт (Тс) Крепление на шасси
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
NB3U1548CDTR2G
NB3U1548CDTR2G - это LVCMOS-буфер, устойчивый к перенапряжению, для генерации тактовых импульсов в высокопроизводительных телекоммуникационных, с…NCV7708FDWR2G
Полностью защищенный шестиполосный полумостовой драйвер NCV7708FDWR2G особенно подходит для автомобильных и промышленных систем управления …AR0233ATSC17XUEA1-DPBR
Датчик изображения AR0233ATSC17XUEA1-DPBR обеспечивает исключительную чувствительность для широкого спектра автомобильных приложений. Он имеет а…SNXH160T120L2Q1PG
SNXH160T120L2Q1PG Этот интегрированный модуль питания высокой плотности сочетает в себе высокопроизводительный IGBT и надежный антипараллельный…NVMFD5C672NLT1G
NVMFD5C672NLT1G - автомобильный силовой MOSFET в корпусе 5x6 мм с плоским выводом, разработанный для компактных и эффективных конструкций и обладающ…NVMFD5C466NWFT1G
NVMFD5C466NWFT1G - автомобильный силовой MOSFET в корпусе 5x6 мм с плоским выводом, разработанный для компактных и эффективных конструкций и обладающ…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: