Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

BM63577S-VA

Produktbeschreibung:Интеллектуальный силовой модуль (IPM) 600 В IGBT

пакет:HSDIP-25
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM64378S-VA

Produktbeschreibung:Интеллектуальный силовой модуль (IPM) 600 В IGBT

пакет:HSDIP-25
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM64375S-VA

Produktbeschreibung:Интеллектуальный силовой модуль (IPM) 600 В IGBT

пакет:HSDIP-25
10 шт.
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM63375S-VC

Produktbeschreibung:Интеллектуальный силовой модуль (IPM) 600 В IGBT

пакет:HSDIP-25
10 шт.
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM64374S-VA

Produktbeschreibung:Оснащен интеллектуальным силовым модулем (IPM) на 600 В IGBT

пакет:HSDIP-25
10 шт.
1800
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM63574S-VC

Produktbeschreibung:Оснащен интеллектуальным силовым модулем (IPM) на 600 В IGBT

пакет:HSDIP-25
10 шт.
1800
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM3G015MUV-LBE2

Produktbeschreibung:Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 150mΩ 2MHz, GaN HEMT ИС каскада питания

пакет:VQFN-46
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3040KRC15

Produktbeschreibung:1200 В N-канальные 4-выводные МОП-транзисторы в корпусе SiC (карбид кремния)

пакет:TO-247-4L
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3040KRHRC15

Produktbeschreibung:1200 В, 55 А, 4-контактный THD, траншейная структура Автомобильные SiC-МОП-транзисторы

пакет:TO-247-4L
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3030ARHRC15

Produktbeschreibung:650 В, 70 А, 4-контактный THD, траншейная структура Автомобильные SiC-МОП-транзисторы

пакет:TO-247-4L
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS50TSX2DGC11

Produktbeschreibung:IGBT с отсечкой по полю 1200 В 50 А 395 Вт со сквозным отверстием TO-247N

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGWX5TS65HRC11

Produktbeschreibung:IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 132 A 348 Вт Сквозное отверстие TO-247N

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW00TS65DHRC11

Produktbeschreibung:IGBT траншейного типа с полевым отключением 650 В 96 А 254 Вт со сквозным отверстием TO-247N

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS50TSX2GC11

Produktbeschreibung:IGBT с рифленым полем отсечки 1200 В 50 А 395 Вт со сквозным отверстием TO-247N

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTV00TK65DGC11

Produktbeschreibung:IGBT траншейного типа с отсечкой по полю 650 В 45 А 94 Вт со сквозным отверстием TO-3PFM

пакет:TO-3PFM
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS30TSX2DGC11

Produktbeschreibung:IGBT с рифленым полем отсечки 1200 В 30 А 267 Вт со сквозным отверстием TO-247N

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler