Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

BM3G007MUV-LBE2

Produktbeschreibung:Nano Cap, EcoGaN, 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Level IC

пакет:VQFN-46
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3160KWATL

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET (sic) поверхностный пролив N, 1200 V 17A (Tj) TO-263-7LA

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3160KWAHRTL

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET (sic) поверхностный пролив N, 1200 V 17A (Tc) TO-263-7LA

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3060ARC15

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) тоннель N, 650 V 39A (Tj) 165W TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3080ARC15

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) тоннель MOSFET тоннель N канал 650 V 30A (Tj) 134W TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3080ALHRC11

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) тоннель MOSFET тоннель N, 650 V 30A (Tc) 134W TO-247N

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3105KRC15

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC), тоннель N, канал 1200 V 24A (Tj) 134W TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4062KWAHRTL

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) N канал 1200 V 24A (Tc) 93W TO-263-7LA

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4026DWAHRTL

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) N канал 750 V 51A (Tc) TO-263-7LA

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM63577S-VA

Produktbeschreibung:Интеллектуальный силовой модуль (IPM) 600 В IGBT

пакет:HSDIP-25
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM64378S-VA

Produktbeschreibung:Интеллектуальный силовой модуль (IPM) 600 В IGBT

пакет:HSDIP-25
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM64375S-VA

Produktbeschreibung:Интеллектуальный силовой модуль (IPM) 600 В IGBT

пакет:HSDIP-25
10 шт.
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM63375S-VC

Produktbeschreibung:Интеллектуальный силовой модуль (IPM) 600 В IGBT

пакет:HSDIP-25
10 шт.
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM64374S-VA

Produktbeschreibung:Оснащен интеллектуальным силовым модулем (IPM) на 600 В IGBT

пакет:HSDIP-25
10 шт.
1800
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM63574S-VC

Produktbeschreibung:Оснащен интеллектуальным силовым модулем (IPM) на 600 В IGBT

пакет:HSDIP-25
10 шт.
1800
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM3G015MUV-LBE2

Produktbeschreibung:Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 150mΩ 2MHz, GaN HEMT ИС каскада питания

пакет:VQFN-46
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 114 записи«Предыдущая страница1234...8Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler