sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Карбидокремниевые МОП-транзисторы
бренд:ROHM
год выпуска:24+
пакет:TO-247-4L
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 5000
SCT3040KRC15 - SiC MOSFET с траншейным затвором, идеально подходящий для серверных источников питания, солнечных инверторов, станций зарядки электромобилей, требующих высокой эффективности, и т.д. 4-контактный корпус, отделяющий вывод источника питания от вывода источника драйвера, позволяет в полной мере использовать высокоскоростные характеристики переключения. В частности, потери проводимости могут быть значительно улучшены. По сравнению с обычным 3-контактным корпусом (TO-247N), комбинированные потери проводимости и потери при выключении, как ожидается, будут снижены примерно на 35%.
Особенности:
Низкое сопротивление включения
Быстрая скорость переключения
Быстрое обратное восстановление
Простое параллельное подключение
Простой привод
Бессвинцовое покрытие; соответствует RoHS
SCT3040KRC15 Атрибуты изделия:
Тип FET: N-канальный
Технология: SiC (транзистор с переходом из карбида кремния)
Напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
Ток при 25°C - непрерывный сток (Id): 55A (Tj)
Напряжение питания (макс. Rds On, мин. Rds On): 18 В
Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 52 мОм @ 20A, 18V
Vgs(th) при различных Id (макс.): 5,6 В @ 10 мА
Заряд затвора (Qg) при Vgs (max): 107 nC @ 18 В
Vgs (max): +22 В, -4 В
Входная емкость (Ciss) при различных Vds (макс.): 1337 пФ @ 800 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 262 Вт
Рабочая температура: 175°C (TJ)
Тип монтажа: сквозное отверстие
Комплект поставки: TO-247-4L
Упаковка/корпус: TO-247-4
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
TO-247-3
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L
ON
TO-247-4
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L
ON
D2PAK-7
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
ON
D2PAK-7
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ROHM Co., Ltd. является одним из ведущих мировых производителей полупроводников со штаб-квартирой в Киото, Япония. Компания ROHM разрабатывает и…
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2 — нан кэп ™ 650V ид HEMT мощност IC, очен распространя на требовательн плотност энерговыделен и эффективн различн электрон систем. Уст…SCT3160KWATL
SCT3160KWATL — одно200v-канавка, разработанная компанией MOSFET 17A SiC(карбид кремния) с небольшой инкапсуляцией TO-263-7. Он характеризуется устойчивост…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: