Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

MSCSM120X10CTYZBNMG

Produktbeschreibung:1200V, HPD, 3-Phase Bridge + Drive Full Option Hybrid Drive mSiC ™ MOSFET Module

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC180SMA120SDT

Produktbeschreibung:1200В, 180 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC060SMA070SDT

Produktbeschreibung:700 В, 60 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC360SMA120SCT

Produktbeschreibung:1200 В, 360 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:PSMT-16
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC080SMA120SCT

Produktbeschreibung:1200 В, 80 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:PSMT-16
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC090SMA070SCT

Produktbeschreibung:700 В, 90 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:PSMT-16
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC060SMA070SCT

Produktbeschreibung:700 В, 60 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:PSMT-16
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC400SMA330B4N

Produktbeschreibung:3300 В, 400 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC080SMA330B4N

Produktbeschreibung:3300 В, 80 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC040SMA120B4N

Produktbeschreibung:1200 В, 40 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC035SMA070B4N

Produktbeschreibung:700 В, 35 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC025SMA120B4N

Produktbeschreibung:1200 В, 25 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC015SMA070B4N

Produktbeschreibung:700В, 15 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
APTDF300A60D16AG

Produktbeschreibung:Диодный модуль SiC высокого напряжения 300A, 600V

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
APTDF200A60D16AG

Produktbeschreibung:Модуль высоковольтных диодов SiC 200A, 600V

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC2X31SDA070J

Produktbeschreibung:Двухканальная установка SOT-227 на базе 700 V 30A (DC) модуля диодов

пакет:SOT-227
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 227 записи«Предыдущая страница1234...15Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler