sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
бренд:
рисунок продукции
тип
марка
описание параметров
количество заказа
запасы
количество покупки
единичная цена
операция
Produktbeschreibung:1200V, HPD, 3-Phase Bridge + Drive Full Option Hybrid Drive mSiC ™ MOSFET Module
пакет:ModuleProduktbeschreibung:1200В, 180 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:700 В, 60 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:1200 В, 360 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET
пакет:PSMT-16Produktbeschreibung:1200 В, 80 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET
пакет:PSMT-16Produktbeschreibung:700 В, 90 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET
пакет:PSMT-16Produktbeschreibung:700 В, 60 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET
пакет:PSMT-16Produktbeschreibung:3300 В, 400 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:3300 В, 80 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:1200 В, 40 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:700 В, 35 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:1200 В, 25 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:700В, 15 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:Диодный модуль SiC высокого напряжения 300A, 600V
пакет:ModuleProduktbeschreibung:Модуль высоковольтных диодов SiC 200A, 600V
пакет:ModuleProduktbeschreibung:Двухканальная установка SOT-227 на базе 700 V 30A (DC) модуля диодов
пакет:SOT-227контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: