sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:GaN-транзисторы
бренд:ROHM
год выпуска:24+
пакет:VQFN-46
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
ИС каскада питания BM3G015MUV-LBE2 Nano Cap™ 650V GaN HEMT идеально подходит для широкого спектра электронных систем, требующих высокой плотности мощности и высокой эффективности. Благодаря интеграции 650-вольтового GaN HEMT и Si драйвера в собственном корпусе ROHM, паразитная индуктивность, вызванная разводкой печатной платы и соединением выводов, значительно снижается по сравнению с традиционными дискретными решениями, обеспечивая скорость переключения до 150 В/нс. Кроме того, можно регулировать силу привода затвора, что очень полезно для снижения электромагнитных помех. Продукт также имеет множество встроенных функций защиты и другие дополнительные возможности для оптимизации стоимости и размеров печатной платы. ИС разработана как универсальная для существующих основных контроллеров, поэтому она также может заменить предыдущие дискретные силовые переключатели, такие как SJ MOSFETs.
Особенности:
Интегрированный выход Nano Cap™ с возможностью выбора 5 В LDO
Долгосрочная поддержка промышленных приложений
Широкий диапазон рабочего напряжения выводов VDD
Широкий диапазон рабочего напряжения выводов IN
Низкие токи покоя и рабочие токи VDD
Низкая задержка распространения
Высокая устойчивость к перепадам напряжения
Регулируемая сила привода затвора
Выходной сигнал хорошего питания
Защита от ультрафиолетового излучения VDD
Защита от теплового отключения
Области применения:
◼ Источники питания для промышленного оборудования, с высокой плотностью мощности, требованиями к высокой эффективности или мостовыми топологиями, такими как тотемный PFC, источники питания LLC, адаптеры и т.д.
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-TSON-4
3000
GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 100 В G3, PQFN 3x3, 8 мОм
INFINEON
PG-VSON-4
3000
GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 100 В G3, PQFN 3x3, 8 мОм
INFINEON
PG-TSON-4
3000
GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 100 В G3, PQFN 3x3,5 мОм
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ROHM Co., Ltd. является одним из ведущих мировых производителей полупроводников со штаб-квартирой в Киото, Япония. Компания ROHM разрабатывает и…
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2 — нан кэп ™ 650V ид HEMT мощност IC, очен распространя на требовательн плотност энерговыделен и эффективн различн электрон систем. Уст…SCT3160KWATL
SCT3160KWATL — одно200v-канавка, разработанная компанией MOSFET 17A SiC(карбид кремния) с небольшой инкапсуляцией TO-263-7. Он характеризуется устойчивост…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: