sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:N-канальные силовые MOSFET
бренд:INFINEON
год выпуска:25+
пакет:TO247-4
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 2000
IPZA60R024CM8 — это 600-вольтовые N-канальные силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ 8.
Серия 600-вольтовых MOSFET-транзисторов CoolMOS™ 8 SJ является преемником семейства 600-вольтовых MOSFET-транзисторов CoolMOS™ 7, включая P7, S7, CFD7, C7 (G7) и PFD7. Он имеет уменьшенный заряд затвора (Qg) на 20% по сравнению с CFD7, потери при выключении (Eoss) уменьшены еще на 12% по сравнению с CFD7, заряд обратного восстановления (Qrr) на 3% ниже по сравнению с CFD7, а также самое низкое время обратного восстановления (trr) на рынке.
Особенности IPZA60R024CM8
Лучший в своем классе R DS(on)*A
Значительное снижение потерь
Отличная устойчивость к коммутации
Встроенный быстрый диод корпуса
.XT межсоединение
Защита от электростатического разряда
Преимущества IPZA60R024CM8
Увеличенная плотность мощности
Простота использования и быстрое проектирование
Низкая склонность к колебаниям
Упрощенное управление тепловым режимом
Упрощенный ассортимент
Применение IPZA60R024CM8
Центры обработки данных, серверы искусственного интеллекта, телекоммуникационные источники питания
Микро- и бытовые гибридные инверторы
Портативные и бытовые накопители энергии, ИБП
Зарядка электромобилей, легкие электромобили, электрические вилочные погрузчики
Высоковольтные твердотельные распределительные устройства
Домашние и профессиональные инструменты
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
SO-8
5000
30 В, одноканальный N-канальный силовой MOSFET-транзистор HEXFET, SO-8
INFINEON
PG-TO220-3
5000
600 В, MOSFET-транзистор CoolMOS™ P7 Super Junction, PG-TO220-3
INFINEON
PG-TO263-3
5000
600 В, MOSFET-транзистор CoolMOS™ P7 Super Junction (SJ), PG-TO263-3
INFINEON
PG-TO263-3
5000
600 В, MOSFET-транзистор CoolMOS™ P7 Super Junction (SJ), PG-TO263-3
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…IPB35N10S3L-26
[Infineon] IPB35N10S3L-26: Автомобильный MOSFET — 100 В, силовой транзистор OptiMOS™-T, PG-TO263-3Сведения о продукте:Модель: IPB35N10S3L-26Корпус: PG-TO263-3Тип: Автомобильны…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120 В, силовой MOSFET-транзистор OptiMOS™ 6, нормальный уровень, в 3-контактном корпусе DPAK.Описание:IPB133N12NM6 — это MOSFET стандартного уровня 120…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03: 60 В, OptiMOS™ -T2 Автомобильный MOSFET-транзистор, PG-TO263-3Технические характеристики IPB120N06S4-03:Тип продукта: MOSFET Технология: Si Тип монтаж…IMCQ120R078M2H
IMCQ120R078M2H CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В, 78 мОм G2 в корпусе Q-DPAK с верхним охлаждением, специально разработанном для широкого использования в пром…IMCQ120R007M2H
IMCQ120R007M2H CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В, 7 мОм G2 в корпусе Q-DPAK с верхним охлаждением, специально разработанном для широкого использования в пром…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: