Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Передатчик HDMI драйвер лазера ИС аналоговых переключателей Ультразвуковой приемник Мультиплексоры и демультиплексоры Видеопроцессор Видеокодер Интерфейс - последовательный цифровой интерфейс (SDI) ИС Искусственный интеллект чипы Интерфейс - Ретаймер трансимпедансный усилитель Ускоритель ближней памяти CXL и контроллер расширения памяти Аналоговый умножитель Интерфейсные микросхемы RS-422/RS-485 Изолированный CAN-трансивер Усилитель приборов Коммутаторы PCI Express Автомобильная система-на-кристалле Безопасность и сертификация IC Балансер/привод/ретранслятор ИС интерфейса PCI PCIe Коммутатор Интерфейс - многопротокольный приемопередатчик

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы

фильтр

Полосно-задерживающие фильтры фильтр низких частот полосовой фильтр SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Коммуникация ближнего поля (NFC) WiFi Bluetooth Wi-Fi Чип Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Модули беспроводной связи Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио SoC

ИИ процессорный чип

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Кремниевые диоды силовой модуль Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Коннектор Nearstack ExtremePort Swift Разъемы Multi-Trak™ Разъемы Разъемы VITA 67.3 Разъемы SpaceVPX VITA 78 Разъем ExtremePort Z-Link Разъемы Displayport Магнитные джековые разъемы Разъемы SAS/PCIe 5.0 Разъемы SAS/PCIe 4.0 Мини-разъем USB Разъемы SFP112G Разъемы MiniSAS HD Разъемы OSFP-XD Разъемы DSFP Разъемы CXP Разъемы QSFP Разъемы OSFP Разъем SFP Разъемы CFP2 Разъемы ввода-вывода Mini Cool Edge Разъемы SlimSAS™ Разъемы Mini-SAS высокой плотности Разъемы OCuLink

Датчики

Магнитно-резистивные датчики Датчик угла наклона Переключатели на эффекте Холла Индуктивный датчик Замки и переключатели с эффектом Холла Биосенсор Датчики времени пролета Кондиционеры сигналов датчиков оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM Контроллеры SSD AI Память F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

AI Ускоритель

Контроллеры NVMe
Первая страница /Интегральная схема (ИС)/силовое устройство/Силовые МОП-транзисторы

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

IPG20N04S4L-11

IPG20N04S4L-11

INFINEON

Produktbeschreibung:40 В, двойные N-образные, 11,6 мОм макс, автомобильный MOSFET, двойной SS08 (5x6), OptiMOS™-T2

пакет:PG-TDSON-8
10 шт.
35000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IPZ40N04S5L-2R8

IPZ40N04S5L-2R8

INFINEON

Produktbeschreibung:Автомобильный MOSFET, S3O8, силовой транзистор OptiMOS™-5

пакет:TSDSON-8
10 шт.
20000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IPC100N04S5L-1R5

IPC100N04S5L-1R5

INFINEON

Produktbeschreibung:40 В, N-Ch, 1,5 мОм макс, автомобильный MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5

пакет:PG-TDSON-8
10 шт.
25000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
BSC500N20NS3G

BSC500N20NS3G

INFINEON

Produktbeschreibung:Силовой транзистор OptiMOS™ 3, 200 В

пакет:PG-TDSON-8
10 шт.
10000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IXFX230N20T

IXFX230N20T

IXYS

Produktbeschreibung:Сквозное отверстие N-канал 200 В 230A (Tc) 1670 Вт (Tc) PLUS247™-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
SCT016H120G3AG

SCT016H120G3AG

ST

Produktbeschreibung:Мощный транзистор MOSFET из карбида кремния автомобильного класса 1200 В

пакет:H2PAK-7
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
SCT012W90G3-4AG

SCT012W90G3-4AG

ST

Produktbeschreibung:Мощный транзистор MOSFET из карбида кремния автомобильного класса 900 В

пакет:HiP247-3
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IPB029N15NM6

IPB029N15NM6

INFINEON

Produktbeschreibung:Силовой MOSFET OptiMOS™ 6 с нормальным уровнем напряжения 150 В в 3-контактном корпусе D²PAK

пакет:PG‑TO263‑3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
BSZ075N08NS5

BSZ075N08NS5

INFINEON

Produktbeschreibung:80 В, OptiMOS™5 Силовой MOSFET транзистор

пакет:PG-TSDSON-8
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IPD50P04P4L-11

IPD50P04P4L-11

INFINEON

Produktbeschreibung:-40 В, P-Ch, 10,6 мОм макс, автомобильный MOSFET, DPAK, OptiMOS™-P2

пакет:TO-252-3
10 шт.
2500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NTBGS001N06C

NTBGS001N06C

ON

Produktbeschreibung:Мощность MOSFET с одним N-каналом, 60 В, 1,1 мОм, 342 А, D2PAK7

пакет:D2PAK-7
10 шт.
3500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NVMJST1D4N06CLTXG

NVMJST1D4N06CLTXG

ON

Produktbeschreibung:Мощность MOSFET с одним N-каналом 60 В, 198 А, 1,49 мОм

пакет:TCPAK57
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NVMFWS2D1N08XT1G

NVMFWS2D1N08XT1G

ON

Produktbeschreibung:Мощность MOSFET с одним N-каналом 80V, 181 A, 2,1 мОм

пакет:DFNW-5
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
BSC0901NSI

BSC0901NSI

INFINEON

Produktbeschreibung:МОП-транзистор N-Ch 30V 100A TDSON-8

пакет:TDSON-8
10 шт.
10000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STW14NK50Z

STW14NK50Z

ST

Produktbeschreibung:N-канальные 500 В - 0,34 Ом - 14 А - TO-247 SuperMESH(TM) Power MOSFETs

пакет:TO-247-3
10 шт.
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IPC100N04S5-1R9

IPC100N04S5-1R9

INFINEON

Produktbeschreibung:650 В IGBT с антипараллельным диодом в корпусе TO-247

пакет:TDSON-8
10 шт.
90000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 386 записи«Предыдущая страница1234...25Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler