sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
бренд:
рисунок продукции
тип
марка
описание параметров
количество заказа
запасы
количество покупки
единичная цена
операция
Produktbeschreibung:Сквозное отверстие N-канал 560 В 16A (Tc) 34 Вт (Tc) PG-TO220-3-31
пакет:TO-220FP-3Produktbeschreibung:MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
пакет:PG-TO263-3Produktbeschreibung:OptiMOS™ - силовой MOSFET для автомобильных приложений
пакет:TDSON-8Produktbeschreibung:Поверхностный монтаж N-канальный 40 В 120A (Tj) 187 Вт (Tc) PG-TDSON-8-53
пакет:TDSON-8Produktbeschreibung:N-канальный 100 В, 2,3 мОм МОП-транзистор с улучшенным SOA в LFPAK88
пакет:LFPAK88Produktbeschreibung:Силовой МОП-транзистор OptiMOS™ 5 на 100 В в 7-контактном корпусе D²PAK
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:100 В Одноканальный N-канальный силовой МОП-транзистор StrongIRFET™ в корпусе TO-247
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:Автомобильный MOSFET OptiMOS™ 6 Силовой транзистор
пакет:PG-HSOF-5-1Produktbeschreibung:Силовой транзистор OptiMOS™ 6, 120 В
пакет:TDSON-8Produktbeschreibung:Силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ 30 В
пакет:TTFN-9Produktbeschreibung:Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ 8 на 600 В
пакет:TO-220-3Produktbeschreibung:Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ 8 на 600 В
пакет:TO-220-3Produktbeschreibung:Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ 8 на 600 В
пакет:PG-HDSOP-22Produktbeschreibung:Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ 8 на 600 В
пакет:PG-HDSOP-22Produktbeschreibung:Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ 8 на 600 В
пакет:PG-HDSOP-22Produktbeschreibung:Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ 8 на 600 В
пакет:PG-TO252-3контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: