sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Однотрубный карбид кремния MOSFET
бренд:INFINEON
год выпуска:24+
пакет:HDSOP-22
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 3000
IMDQ75R027M1H — прибор для разделки 750V, 64A карбид кремния MOSFET. Infineon CoolSiC ™ усилител в первоклассн бороздк полупроводников технологическ, посл оптимизац, достижим прикладн минимальн из и потер максимальн надёжност. Из
спецификац
Тип FET: канал N
Технология: SiC (транзистор с карбидом кремния)
Напряжение утечки (Vdss) : 750 V
25 ° C ток-утечк подряд очен (Id) : 64а (ти дже)
Напряжение двигателя (максимальная Rds On, минимальная Rds On) : 15V, 20V
Различные Id, Vgs-часовое сопротивление (максимум) : 25 миллиoo@24,5 A, 20V
Vgs(t) (максимум) : 5.6V @8,8 mA
Различные заряды сетки Vgs-часов (Qg) (максимум) : 49 nC @18 V
Vgs (максимум) : +20V, минус 2V
* ёмкость входного конденсатора (Ciss) (максимум) : 1668 pF @500 V
Функция FET
Максимальная потеря мощности: 273W (Tc)
Температур работ: - 55 ° C - 175 ° C (ти дже)
Уровень:
статус
Тип установки: тип поверхностной наклейки
Упаковка оборудования поставщика: PG-HDSOP-22-1
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 V/116 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 19 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/78 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 30 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/61 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 40 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/44 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 60 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 V/34 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 80 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/24 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 117 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
3000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/18,6 А Q-DPAK (HDSOP-22-3), 160 м
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H: Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзисторМодель: AIMZA75R008M1HУпаковка: PG-TO247-4Тип: Автомобильный МОП-транзистор…FF2600UXTR33T2M1
FF2600UXTR33T2M1: Карбидокремниевые MOSFET модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2600UXTR33T2M1 - полумостовой модуль XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3,3 кВ, 2,5 мОм с технол…FF2000UXTR33T2M1
FF2000UXTR33T2M1 (Модули MOSFET из карбида кремния): 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2000UXTR33T2M1 - XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 3,3 кВ, 1,9 мОм с технол…IM64A130A
IM64A130A: Аналоговый МЭМС-микрофон XENSIV™ - лучший вариант для автомобильных приложений средней производительностиОбзоры:IM64A130A - аналоговый М…IMBG120R034M2H
IMBG120R034M2H представляет собой дискретный 1200 V G2 CoolSiC MOSFET в упаковке TO-263-7. CoolSiC MOSFET INFINEON основан на первоклассной технологии траншейных полупр…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: