sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Силиконовый карбид MOSFET
бренд:INFINEON
год выпуска:24+
пакет:PG-HDSOP-22
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 2000
Infineon CoolSiC ™ усилител в первоклассн бороздк полупроводников технологическ, посл оптимизац, достижим прикладн минимальн из и потер максимальн надёжност. Из Разделен CoolSiC ™ усилител устройств сер 400 V, 650 V, 1200 V, 1700 V и 2000 V напряжен, 7 м Ω - 1000 м Ω - сопротивлен масштаб продукт.
Спецификации AIMCQ120R020M1T:
Тип FET: канал N
Технология: SiC (транзистор с карбидом кремния)
Источник напряжения утечки (Vdss) : 1200 V
25 ° C ток-утечк подряд очен (Id) : 116A (тис)
Приводное напряжение (максимальная Rds On, минимальная Rds On) : 18V, 20V
Различные Id, Vgs-часовое сопротивление (максимум) : 25 миллиoo@43a, 20V
Различные Id-часы Vgs(th) (максимум) : 5.1V @13,7 mA
Различные заряды сетки Vgs-часов (Qg) (максимум) : 82 nC @20 V
Vgs (максимум) : +25V, минус 10V
Во время различных Vds-часов входная ёмкость (Ciss) (максимум) : 2667 pF @800 V
Функция FET
Максимальная потеря мощности: 577W (Tc)
Температур работ: - 55 ° C - 175 ° C (ти дже)
Уровень: автомобильный уровень
Квалификация: AEC-Q101
Тип установки: тип поверхностной наклейки
Упаковка оборудования поставщика: PG-HDSOP-22
Преимущество:
Ниже инкапсуляционный паразитный эффект
Нижние переключатели повреждены
Упрощение дизайна
Оптимизированный компонент PCB
Приложение:
Зарядное устройство
Преобразователь DC/DC
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
TO-247-4
1000
CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В G2 в корпусе TO-247 4pin с высокой ползучестью
INFINEON
TO-247-4
1000
CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В G2 в корпусе TO-247 4pin с высокой ползучестью
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/78 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 30 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/61 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 40 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/44 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 60 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 V/34 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 80 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/24 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 117 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
3000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/18,6 А Q-DPAK (HDSOP-22-3), 160 м
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…IKW50N65WR5
IKW50N65WR5 Высокоскоростные IGBT TRENCHSTOP™ 5 WR5 с обратной проводимостью 650 В, 50 А в корпусе TO-247.IGLD65R080D2
Силовой транзистор IGLD65R080D2 GaN может повысить эффективность при работе на высоких частотах. Являясь частью серии CoolGaN ™ 650 V G5, он соответств…IGC033S10S1
IGC033S10S1 представляет собой усовершенствованный силовой транзистор с нормальным закрытием 100 В в небольшом пакете PQFN 3x5, который обеспечив…IGC033S101
IGC033S101 представляет собой усовершенствованный силовой транзистор с нормальным закрытием 100 В в небольшом пакете PQFN 3x5, который обеспечива…IGC025S08S1
IGC025S08S1 представляет собой улучшенный силовой транзистор с нормальным закрытием 80 В в небольшом пакете PQFN 3x5, который обеспечивает высоку…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: