Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

IMZC120R034M2H

Produktbeschreibung:Дискретный транзистор 1200V, 34mΩ, CoolSiC ™ MOSFET, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R053M2H

Produktbeschreibung:Дискретный транзистор 1200V, 53mΩ, CoolSiC ™ MOSFET, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF8MR12W1M1HC58

Produktbeschreibung:1200 В, модуль полумоста MOSFET EasyDUAL™ 1B CoolSiC™

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF300R12W2T7EB11

Produktbeschreibung:1200 В, 300 мОм, модуль полумоста MOSFET EasyDUAL™ 2B CoolSiC™

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF200R12W2T7EB11

Produktbeschreibung:1200 В, 200 мОм, модуль полумоста MOSFET EasyDUAL™ 2B CoolSiC™

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF150R12W2T7EB11

Produktbeschreibung:1200 В, 150 мОм, модуль полумоста MOSFET EasyDUAL™ 2B CoolSiC™

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF6MR20W2M1HB70

Produktbeschreibung:2000 В, 6 мОм, EasyDUAL™ 2B CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R040M2H

Produktbeschreibung:1200 В, 40 мОм, CoolSiC™ MOSFET Дискретный транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R026M2H

Produktbeschreibung:Дискретный транзистор CoolSiC™ MOSFET 1200 В, 26 мОм, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R022M2H

Produktbeschreibung:Дискретный МОП-транзистор CoolSiC™ на 1200 В, 22 мОм, в корпусе TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R017M2H

Produktbeschreibung:1200 В, 17 мОм, CoolSiC™ MOSFET Дискретный транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R012M2H

Produktbeschreibung:1200 В, 12 мОм, CoolSiC™ MOSFET Дискретный транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R060M2H

Produktbeschreibung:650 В, 60 мОм, Карбид Кремния CoolSiC™ MOSFET Транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R033M2H

Produktbeschreibung:650 В, 33 мОм, Карбид Кремния CoolSiC™ MOSFET Транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R026M2H

Produktbeschreibung:650 В, 26 мОм, карбид кремния CoolSiC™ MOSFET транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R010M2H

Produktbeschreibung:650 В, 10 мОм, карбид кремния CoolSiC™ MOSFET транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 256 записи«Предыдущая страница1234...16Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler