sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Силиконовый карбид MOSFET
бренд:INFINEON
год выпуска:24+
пакет:PG-TO263-7
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 2000
IMBG120R034M2H представляет собой дискретный 1200 V G2 CoolSiC MOSFET в упаковке TO-263-7. CoolSiC MOSFET INFINEON основан на первоклассной технологии траншейных полупроводников и оптимизирован для достижения наименьших потерь в применении и максимальной надежности в эксплуатации.
Атрибуты продукции:
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 чаннел
Напряжение пробивания источника утечки: 1,2 кв
Ток непрерывного потока: 58 A
Сопротивление потока Rds On- утечка: 90 момс
Vgs-сетка-источник напряжения: 7 V, плюс 20 V
Пороговое напряжение Vgs th- решёточного источника: 5.1 V
Заряд сетки Qg- 45 nC
Температур работ: - 55 ° C до + 175 ° C
Диссоциация энергии: 278 W
Инкапсуляция: PG-TO263-7
Режим канала: Enhancement
Название торговой марки: CoolSiC
Логотип: Infineon Technologies
сингла
Время падения: 5.2 нс
риэль
снято
Продукт: SiC MOSFETS
Тип продукции: SiC MOSFETS
Время подъёма: 15,5 нс
Серия: 1200V G2
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 V/116 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 19 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/78 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 30 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/61 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 40 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/44 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 60 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 V/34 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 80 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/24 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 117 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
3000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/18,6 А Q-DPAK (HDSOP-22-3), 160 м
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H: Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзисторМодель: AIMZA75R008M1HУпаковка: PG-TO247-4Тип: Автомобильный МОП-транзистор…FF2600UXTR33T2M1
FF2600UXTR33T2M1: Карбидокремниевые MOSFET модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2600UXTR33T2M1 - полумостовой модуль XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3,3 кВ, 2,5 мОм с технол…FF2000UXTR33T2M1
FF2000UXTR33T2M1 (Модули MOSFET из карбида кремния): 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2000UXTR33T2M1 - XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 3,3 кВ, 1,9 мОм с технол…IPQC60T010S7A
IPQC60T010S7A представляет собой мощный MOSFET 600 V CoolMOS S7TA, предназначенный для удовлетворения особых требований к автомобильным электронным комп…IPQC60T010S7
IPQC60T010S7 представляет собой мощный MOSFET мощностью 600 В CoolMOS S7T, который идеально подходит для применения MOSFET с низкочастотными переключателя…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: