sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Транзисторы
бренд:INFINEON
год выпуска:24+
пакет:TO-263-7
срок поставки:Новый оригинал.
количество запасов: 1000
IMBG120R140M1HXTMA1 CoolSiC™ 1200 В, 1400 мОм SiC MOSFET в корпусе TO-263-7 создан на основе современного траншейного полупроводникового процесса, оптимизированного для сочетания производительности и надежности в эксплуатации.
Характеристики
Очень низкие потери при переключении
Выдерживаемое время короткого замыкания 3 мкс
Полностью контролируемый dV/dt
Эталонное пороговое напряжение затвора, VGS(th) = 4,5 В
Устойчивость к паразитному включению, можно применить напряжение на затворе 0 В
Надежный корпусной диод для жесткой коммутации
Технология межсоединений .XT для лучших в своем классе тепловых характеристик
Расстояние между корпусом и зазором > 6,1 мм
Сенсорный вывод для оптимизации характеристик переключения
Преимущества
Повышение эффективности
Обеспечение более высокой частоты
Увеличение плотности мощности
Снижение затрат на охлаждение
Снижение сложности и стоимости системы
SMD-корпус обеспечивает прямую интеграцию в печатную плату, естественное конвекционное охлаждение без дополнительного радиатора
Области применения
1-фазные струнные инверторы
Зарядка электромобилей
Приводы промышленных двигателей и системы управления
Фотоэлектрические
Привод и управление серводвигателями
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
TO-263-7
1000
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO-263-7
INFINEON
TO-263-7
1000
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO-263-7
INFINEON
TO-263-7
1000
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO-263-7
INFINEON
TO-247-3
1000
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO247-3
INFINEON
TO-247-3
1000
CoolSiC™ 1200V, 20mΩ SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO247-3
INFINEON
TO-247-4
1000
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO247-4
INFINEON
TO-247-4
1000
CoolSiC™ 1200V, 7mΩ SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO247-4
INFINEON
TO-247-4
1000
CoolSiC™ 1200V, 20mΩ SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO247-4
ST
TO-247-4
1000
Силовой МОП-транзистор из карбида кремния автомобильного класса на 650 В, типовое значение 20 мОм, 55 А в корпусе HiP247-4
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…BTS3035EJ
BTS3035EJ - это интеллектуальный одноканальный низкочастотный переключатель питания на 35 мОм в корпусе PG-TDSO8-31 со встроенной защитой.IQE057N10NM6CG
IQE057N10NM6CG - силовой транзистор OptiMOSTM6 с напряжением 100 В.DF900R12IP4DPB60
DF900R12IP4DPB60 PrimePACK™2 1200 В, 900 А Чопперный IGBT-модуль с траншеей/полем отсечки IGBT4, увеличенным эмиттером, управляемым 4 диодами и NTC.IDWD120E120D7
IDWD120E120D7 — кремниевый диод с мягким переключателем 1200 в, управляемый эмиттерами 7 кремниевый диод, с инкапсулятором t -247-2.Свойство продукци…FP50R12N2T7B76
FP50R12N2T7 1200 в, 50 а трехфазн PIM IGBT модул, использова TRENCHSTOP ™ IGBT7, эмиттер контролирова 7 диод и НПС. PIM (энергетический интегральный модуль) для и…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: