sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Транзисторы
бренд:INFINEON
год выпуска:24+
пакет:TO-247-4
срок поставки:Новый оригинал.
количество запасов: 1000
IMZA120R020M1HXKSA1 идеально подходит для топологий с жесткой и резонансной коммутацией, таких как схемы коррекции коэффициента мощности (PFC), двунаправленные топологии и DC-DC преобразователи или DC-AC инверторы. Они отличаются самым низким уровнем заряда затвора и емкости устройства среди переключателей на 1200 В, отсутствием потерь на обратное восстановление внутреннего диода в корпусе с защитой от переключения, низкими потерями на переключение в зависимости от температуры и беспороговой характеристикой включения.
Характеристики
Лучшие в своем классе потери на переключение и проводимость
Эталонное высокое пороговое напряжение, Vth > 4 В.
Напряжение на затворе 0 В для простого и легкого управления затвором
Широкий диапазон напряжения затвор-исток
Прочный корпусной диод с низкими потерями, рассчитанный на жесткую коммутацию
Потери на переключение при выключении не зависят от температуры
Технология межсоединений .XT обеспечивает лучшие в своем классе тепловые характеристики
Преимущества
Высочайшая эффективность
Снижение затрат на охлаждение
Более высокая частота работы
Повышенная плотность мощности
Снижение сложности системы
Области применения
Формирование аккумуляторов
Источники питания на DIN-рейку
Системы хранения энергии
Зарядка EV
Блок управления топливными элементами
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
TO-263-7
1000
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO-263-7
INFINEON
TO-263-7
1000
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO-263-7
INFINEON
TO-263-7
1000
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO-263-7
INFINEON
TO-263-7
1000
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO-263-7
INFINEON
TO-247-3
1000
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO247-3
INFINEON
TO-247-3
1000
CoolSiC™ 1200V, 20mΩ SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO247-3
INFINEON
TO-247-4
1000
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO247-4
INFINEON
TO-247-4
1000
CoolSiC™ 1200V, 7mΩ SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO247-4
ST
TO-247-4
1000
Силовой МОП-транзистор из карбида кремния автомобильного класса на 650 В, типовое значение 20 мОм, 55 А в корпусе HiP247-4
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…BTS3035EJ
BTS3035EJ - это интеллектуальный одноканальный низкочастотный переключатель питания на 35 мОм в корпусе PG-TDSO8-31 со встроенной защитой.IQE057N10NM6CG
IQE057N10NM6CG - силовой транзистор OptiMOSTM6 с напряжением 100 В.DF900R12IP4DPB60
DF900R12IP4DPB60 PrimePACK™2 1200 В, 900 А Чопперный IGBT-модуль с траншеей/полем отсечки IGBT4, увеличенным эмиттером, управляемым 4 диодами и NTC.IDWD120E120D7
IDWD120E120D7 — кремниевый диод с мягким переключателем 1200 в, управляемый эмиттерами 7 кремниевый диод, с инкапсулятором t -247-2.Свойство продукци…FP50R12N2T7B76
FP50R12N2T7 1200 в, 50 а трехфазн PIM IGBT модул, использова TRENCHSTOP ™ IGBT7, эмиттер контролирова 7 диод и НПС. PIM (энергетический интегральный модуль) для и…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: