sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Модули IGBT
бренд:INFINEON
год выпуска:24+
пакет:Module
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 2000
DF900R12IP4DPB60 PrimePACK™2 1200 В, 900 А Чопперный IGBT-модуль с траншеей/полем отсечки IGBT4, увеличенным эмиттером, управляемым 4 диодами и NTC.
Категория: IGBT-модули
Упаковка: Лоток
Статус детали: в продаже
Тип IGBT: траншейный/полевой отсекатель
Конфигурация: одиночный чоппер
Напряжение - пробой коллектора (макс.): 1200 В
Ток - коллектор (Ic) (макс.): 900 A
Мощность - максимальная: 5,1 кВт
Vce(on) при различных Vge, Ic (макс.): 2.05V @ 15V, 900A
Ток - коллекторная отсечка (макс.): 500 мкА
Входная емкость (Cies) при различном Vce: 54000 пФ @ 25 В
Вход: стандартный
NTC термистор: Да
Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа: монтаж на шасси
Упаковка/корпус: модуль
Упаковка устройства поставщика: модуль
Функциональные характеристики
Расширенная рабочая температура T(tvj op)
Высокая стабильность постоянного тока
Высокая способность к короткому замыканию, самоограничение тока короткого замыкания
Положительный температурный коэффициент VCE(sat)
Низкий уровень VCE(sat)
Изоляция 4 кВ переменного тока 1 мин
Упаковка с CTI > 400
Высокие расстояния ползучести и зазора
Высокая мощность и способность к термоциклированию
Подложка с низким термическим сопротивлением
Признано UL
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
Microchip
Module
1000
IGBT-модуль Трехфазный инвертор с тормозом 650 В 150 А 400 Вт Монтаж на шасси
Microchip
Module
1000
IGBT-модуль канальный полномостовой 1200 В 40 А для монтажа на шасси SP3F
Microchip
Module
1000
Дискретные полупроводниковые модули PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6LI
IXYS
SOT-227B
1000
Модуль IGBT PT standard 600 V 400 A 830 W устанавливается на базе SOT-227B
IXYS
SOT-227
1000
Модуль IGBT устанавливается на базе SOT-227 по одной дороге 1200 V 220 A 830 W
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H: Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзисторМодель: AIMZA75R008M1HУпаковка: PG-TO247-4Тип: Автомобильный МОП-транзистор…FF2600UXTR33T2M1
FF2600UXTR33T2M1: Карбидокремниевые MOSFET модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2600UXTR33T2M1 - полумостовой модуль XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3,3 кВ, 2,5 мОм с технол…FF2000UXTR33T2M1
FF2000UXTR33T2M1 (Модули MOSFET из карбида кремния): 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2000UXTR33T2M1 - XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 3,3 кВ, 1,9 мОм с технол…IMBG120R034M2H
IMBG120R034M2H представляет собой дискретный 1200 V G2 CoolSiC MOSFET в упаковке TO-263-7. CoolSiC MOSFET INFINEON основан на первоклассной технологии траншейных полупр…IPQC60T010S7A
IPQC60T010S7A представляет собой мощный MOSFET 600 V CoolMOS S7TA, предназначенный для удовлетворения особых требований к автомобильным электронным комп…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: