sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
бренд:
рисунок продукции
тип
марка
описание параметров
количество заказа
запасы
количество покупки
единичная цена
операция
Produktbeschreibung:Карбид кремния (Sic) MOSFET 750 V, 5.9 mohm SiC FET TO-247-4L
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:Карбид кремния (Sic) MOSFET 750 V, 9 mohm SiC FET TO-247-4L
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:Карбид кремния (Sic) MOSFET 750 V, 11 mohm SiC FET TO-247-4L
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:Карбид кремния (Sic) MOSFET 650 V, 27 mohm SiC FET D2PAK-3L
пакет:D2PAK-3Produktbeschreibung:Карбид кремния (Sic) MOSFET 650 V, 80 mohm SiC FET TO-220-3L
пакет:TO-220-3Produktbeschreibung:Карбид кремния (Sic) MOSFET 650 V, 80 mohm SiC FET TO-247-3L
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:Карбид кремния (Sic) MOSFET 650 V, 80 mohm SiC FET D2PAK-3L
пакет:D2PAK-3Produktbeschreibung:Карбид кремния (Sic) MOSFET 650 V, 42 mohm SiC FET D2PAK-7L
пакет:D2PAK-7Produktbeschreibung:Карбид кремния (Sic) MOSFET 650 V, 80 mohm SiC FET TO-220-3L
пакет:TO-220-3Produktbeschreibung:Карбид кремния (Sic) MOSFET 650 V, 80 mohm SiC FET
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:Карбид кремния (Sic) MOSFET 650 V, 80 mohm SiC FET
пакет:D2PAK-3LProduktbeschreibung:MOSFET 650 V, 42 mohm SiC FET TO-220-3L
пакет:TO-220-3LProduktbeschreibung:MOSFET 650 V, 42 mohm SiC FET
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:1200 V, 40 mΩ, 63 A, TO-263-7 инкапсуляц, трет поколен карбид кремн усилител
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:1200 V, 160 mΩ, 17 A, TO-247-3 инкапсуляц, трет поколен карбид кремн усилител
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:1200 V, 75 mΩ, 34 A, TO-263-7 инкапсуляц, трет поколен карбид кремн усилител
пакет:TO-263-7контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: