Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet переключатель шины дифференциальный усилитель Аналоговый переключатель перекрестных точек Передатчик HDMI драйвер лазера ИС аналоговых переключателей Ультразвуковой приемник Мультиплексоры и демультиплексоры Видеопроцессор Видеокодер Интерфейс - последовательный цифровой интерфейс (SDI) ИС Искусственный интеллект чипы Интерфейс - Ретаймер трансимпедансный усилитель Ускоритель ближней памяти CXL и контроллер расширения памяти Аналоговый умножитель Интерфейсные микросхемы RS-422/RS-485 Изолированный CAN-трансивер Усилитель приборов Коммутаторы PCI Express Автомобильная система-на-кристалле Безопасность и сертификация IC Балансер/привод/ретранслятор

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы

фильтр

Полосно-задерживающие фильтры фильтр низких частот полосовой фильтр SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Коммуникация ближнего поля (NFC) WiFi Bluetooth Wi-Fi Чип Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Модули беспроводной связи Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио SoC

ИИ процессорный чип

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Кремниевые диоды силовой модуль Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Обжимной проводной разъем Коннектор Nearstack ExtremePort Swift Разъемы Multi-Trak™ Разъемы Разъемы VITA 67.3 Разъемы SpaceVPX VITA 78 Разъем ExtremePort Z-Link Разъемы Displayport Магнитные джековые разъемы Разъемы SAS/PCIe 5.0 Разъемы SAS/PCIe 4.0 Мини-разъем USB Разъемы SFP112G Разъемы MiniSAS HD Разъемы OSFP-XD Разъемы DSFP Разъемы CXP Разъемы QSFP Разъемы OSFP Разъем SFP Разъемы CFP2 Разъемы ввода-вывода Mini Cool Edge Разъемы SlimSAS™ Разъемы Mini-SAS высокой плотности

Датчики

Магнитно-резистивные датчики Датчик угла наклона Переключатели на эффекте Холла Индуктивный датчик Замки и переключатели с эффектом Холла Биосенсор Датчики времени пролета Кондиционеры сигналов датчиков оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM Контроллеры SSD AI Память F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

AI Ускоритель

Контроллеры NVMe
Первая страница /Интегральная схема (ИС)/силовое устройство/Карбид кремния (SiC)/Карбид кремния (Sic) MOSFET

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

UJ3C120150K3S

UJ3C120150K3S

ON

Produktbeschreibung:1200 В, 150 мОм, карбид кремния (SiC) MOSFET транзистор, TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
UJ3C065030K3S

UJ3C065030K3S

ON

Produktbeschreibung:650V, 27mohm, Карбид кремния (SiC) MOSFET транзистор, TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NVH4L032N065M3S

NVH4L032N065M3S

ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (Sic) MOSFET EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
SCT025W120G3AG

SCT025W120G3AG

ST

Produktbeschreibung:1200 В Мощность карбида кремния автомобильного класса MOSFET, 27 мОм, 56 А, HiP247

пакет:HiP247-3
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NTHL032N065M3S

NTHL032N065M3S

ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NTH4L032N065M3S

NTH4L032N065M3S

ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NTBG032N065M3S

NTBG032N065M3S

ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L

пакет:D2PAK-7
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NVBG032N065M3S

NVBG032N065M3S

ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L

пакет:D2PAK-7
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MSC180SMA120SDT

MSC180SMA120SDT

Microchip

Produktbeschreibung:1200В, 180 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MSC060SMA070SDT

MSC060SMA070SDT

Microchip

Produktbeschreibung:700 В, 60 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MSC360SMA120SCT

MSC360SMA120SCT

Microchip

Produktbeschreibung:1200 В, 360 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:PSMT-16
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MSC080SMA120SCT

MSC080SMA120SCT

Microchip

Produktbeschreibung:1200 В, 80 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:PSMT-16
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MSC090SMA070SCT

MSC090SMA070SCT

Microchip

Produktbeschreibung:700 В, 90 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:PSMT-16
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MSC060SMA070SCT

MSC060SMA070SCT

Microchip

Produktbeschreibung:700 В, 60 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:PSMT-16
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MSC400SMA330B4N

MSC400SMA330B4N

Microchip

Produktbeschreibung:3300 В, 400 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MSC080SMA330B4N

MSC080SMA330B4N

Microchip

Produktbeschreibung:3300 В, 80 мОм карбид кремния (SiC) N канал MOSFET

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 368 записи«Предыдущая страница1234...23Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler