Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Автомобильная система-на-кристалле Безопасность и сертификация IC Балансер/привод/ретранслятор ИС интерфейса PCI PCIe Коммутатор Интерфейс - многопротокольный приемопередатчик Приемопередатчик линии электропередачи Петля с фазовой автоподстройкой - PLL Приемопередатчик с радиочастотной выборкой Преобразователь уровня логики Интерфейсная ИС - многоскоростной ретаймер Расширитель SAS Часы/Тиминг, Осцилляторы Часы/таймер - Нано-таймер Цифровой перекрестный переключатель Ультразвуковой приемопередатчик Часы/Тиминг - Линия задержки Контроллер считывания карт Логика - шлюзы и инверторы Передатчик Изолированный компаратор Высокоскоростной компаратор Интерфейс - многоскоростной таймер

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы Модули беспроводной связи

фильтр

SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Wi-Fi Чип Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио SoC

ИИ процессорный чип

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Кремниевые диоды силовой модуль Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Магнитные соединители Разъемы Ethernet Модульные разъемы Разъемы QSFP DD ​DIMM разъемы Кабельные узлы Модульные соединители Разъемный разъем Разъемы питания Разъем AI Разъем USB Круглые разъемы Автомобильные разъемы Краевые разъемы карты Межплатные и мезонинные разъемы FFC, FPC (плоские гибкие) разъемы Разъемы объединительной панели Прямоугольные разъемы Радиочастотные разъемы Прямоугольные разъемы — массив, край, мезонин (плата к плате)

Датчики

Замки и переключатели с эффектом Холла Биосенсор Датчики времени пролета Кондиционеры сигналов датчиков оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик Датчик движения-гироскоп Ультразвуковой приемник, передатчик (измерение расстояния)

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM AI Память F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

AI Ускоритель

Первая страница /Интегральная схема (ИС)/Микросхемы из нитрида галлия/GaN FET

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

GAN039-650NTBZ

GAN039-650NTBZ

Nexperia

Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N канал 650 V 58.5A (Tc) 250 W (Tc) CCPAK1212i

пакет:CCPAK1212i
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GAN039-650NBBHP

GAN039-650NBBHP

Nexperia

Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 650 V 60A (Tc) 300 W (Tc) CCPAK1212

пакет:CCPAK1212
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GANB4R8-040CBAZ

GANB4R8-040CBAZ

Nexperia

Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N-канал 40 V 20A (Ta) 13W (Ta) 22-WLCSP (2.1x2.1)

пакет:WLCSP-22
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GANE3R9-150QBAZ

GANE3R9-150QBAZ

Nexperia

Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 150 V 100 A (Ta) 65 W (Ta) VQFN

пакет:VQFN-7
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
LMG3624REQR

LMG3624REQR

TI

Produktbeschreibung:650 В 170 мОм GaN FET со встроенным драйвером, защитой и датчиком тока

пакет:VQFN-38
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
LMG3426R030RQZR

LMG3426R030RQZR

TI

Produktbeschreibung:600 В 30 мОм GaN FET со встроенным драйвером, защитой и обнаружением нулевого напряжения

пакет:54-VQFN
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
LMG2100R044RARR

LMG2100R044RARR

TI

Produktbeschreibung:100 В 4,4 мОм полумостовой GaN FET со встроенным драйвером и защитой

пакет:WQFN-16
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A5G26H605W19NR3

A5G26H605W19NR3

A5G26H605W19NR3.pdf
NXP

Produktbeschreibung:2496-2690 МГц, средняя мощность 85 Вт, 48 В Airfast® RF Power GaN Transistor

пакет:OM−780−4S4S
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A5G21H605W19NR3

A5G21H605W19NR3

A5G21H605W19NR3.pdf
NXP

Produktbeschreibung:2110-2200 МГц, средняя мощность 85 Вт, 48 В Airfast® RF Power GaN Transistor

пакет:OM- 780- 4S4S
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GAN063-650WSAQ

GAN063-650WSAQ

GAN063-650WSAQ.pdf
Nexperia

Produktbeschreibung:Проходной путь 650 V 34,5 A (Ta) 143W (Ta) TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GAN041-650WSBQ

GAN041-650WSBQ

GAN041-650WSBQ.pdf
Nexperia

Produktbeschreibung:Тоннель тоннель N 650 V 47.2A 187W TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GAN140-650EBEZ

GAN140-650EBEZ

GAN140-650EBEZ.pdf
Nexperia

Produktbeschreibung:650 В, 140 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе DFN 8 мм x 8 мм

пакет:DFN8080-8
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GAN190-650FBEZ

GAN190-650FBEZ

GAN190-650FBEZ.pdf
Nexperia

Produktbeschreibung:650 В, 190 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе DFN 5 мм x 6 мм

пакет:DFN5060-5
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GAN140-650FBEZ

GAN140-650FBEZ

GAN140-650FBEZ.pdf
Nexperia

Produktbeschreibung:650 В, 140 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе DFN 5 мм x 6 мм

пакет:DFN5060-5
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GAN7R0-150LBEZ

GAN7R0-150LBEZ

GAN7R0-150LBEZ.pdf
Nexperia

Produktbeschreibung:150 В, 7 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе LGA размером 2,2 мм x 3,2 мм x 0,774 мм

пакет:FCLGA-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GAN190-650EBEZ

GAN190-650EBEZ

GAN190-650EBEZ.pdf
Nexperia

Produktbeschreibung:650 В, 190 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе DFN 8 мм x 8 мм

пакет:DFN8080-8
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 18 записи«Предыдущая страница12Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler