sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:GaN FET
бренд:Renesas
год выпуска:25+
пакет:TO-247-3
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 2000
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ нитрид галлия (GaN) FET является нормально закрытым устройством, построенным с использованием платформы Renesas GenIV. Используется ноу-хау, что снижает внутреннюю индуктивность упаковки и упрощает процесс сборки. Он сочетает в себе самые передовые высоковольтные GaN HEMT с низковольтными кремниевыми MOSFET для обеспечения превосходной надежности и производительности. Кроме того, TP65H035G4WSQA также прошел испытания автомобильного класса при 175 ° C и стресс-тест AEC-Q101 для дискретных полупроводников автомобильного класса.
Технические характеристики
Тип FET: канал N
Технология: галлий (нитрид Галлия)
Напряжение утечки (Vdss) : 650 V
25 ° C ток-утечк подряд очен (Id) : 47,2 а (тис)
Приводное напряжение (максимальная Rds On, минимальная Rds On) : 10V
Различные Id, Vgs-часовое сопротивление (максимум) : 41 миллиoo@30a, 10V
Различные Id-часы Vgs(th) (максимум) : 4.8V @1mA
Различные заряды сетки Vgs-часов (Qg) (максимум) : 22 nC @10 V
Vgs (максимум) : минус 20V
Во время различных Vds-часов входная ёмкость (Ciss) (максимум) : 1500 pF @400 V
Функция FET
Максимальная потеря мощности: 187W (Tc)
Температур работ: - 55 ° C - 175 ° C (ти дже)
Уровень: автомобильный уровень
Квалификация: AEC-Q101
Тип установки: сквозное отверстие
Инкапсуляция: TO-247-3
Классическое применение
Tp65h035g4wqa применяется в таких сценах, как автомобильная электроника, фотоэлектрический инвертор, промышленный модуль мощности и преобразователь высокого напряжения.
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Renesas Technology входит в десятку крупнейших мировых поставщиков полупроводниковых микросхем и добилась наибольшей доли рынка во многих облас…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB представляет собой 650V SuperGaN GaN FET, выпущенный Renesas. Он использует технологическую платформу Gen IV и сочетает в себе высоковольтный GaN…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS представляет собой 650V GaN FET (полевой транзистор нитрида галлия), представленный Renesas, который использует технологию платформы Gen IV S…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS представляет собой устройство SuperGaN FET, представленное Renesas, в упаковке TO-247-4L с сопротивлением 35 мОм и конструкцией клеммы источник…TP65H070G4RS
TP65H070G4RS представляет собой устройство FET с технологией SuperGaN четвертого поколения, представленное Renesas, в упаковке TOLT (верхняя поверхность…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS представляет собой полевой транзистор нитрида галлия (GaN) (FET) мощностью 650 В и 70 мОм в упаковке TO-220, произведенной компанией Renesas. Эт…TP65H070G4QS
TP65H070G4QS представляет собой 650V SuperGaN FET (Renesas), упакованный в TOLL (исходный штифт) и принадлежащий к платформе Gen IV SuperGaN четвертого поколения. Э…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: