Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

A5G19H605W19NR3
NXP

Produktbeschreibung:48 В, Airfast® GaN RF Power Transistor, OM-780-4S4S

пакет:OM-780-4S4S
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3526R030RQSR
TI

Produktbeschreibung:650V 30m GaN FET с интегрированным драйвером, защитой и обнаружением нулевого напряжения

пакет:VQFN-52
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3427R030RQZR
TI

Produktbeschreibung:600V 30mΩ GaN FET с интегрированным драйвером, защитой и обнаружением нулевого напряжения

пакет:VQFN-54
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG2100R026VBNR
TI

Produktbeschreibung:Уровень мощности полумостового нитрида галлия (GaN) 100 В 2,6 мОм

пакет:18-VQFN-FCRLF
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3100R044VBER
TI

Produktbeschreibung:100V 4.4mΩ GaN FET с интегрированным приводом

пакет:15-VQFN-FCRLF
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLT65R110D2

Produktbeschreibung:Транзистор CoolGaN™ 650 В G5

пакет:PG‑HDSOP‑16
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLR65R270D2

Produktbeschreibung:Транзистор CoolGaN™ 650 В G5

пакет:PG‑TSON‑8
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLR65R200D2

Produktbeschreibung:Транзистор CoolGaN™ 650 В G5

пакет:PG‑TSON‑8
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MCP22301T-2I/KYX

Produktbeschreibung:Независимый контроллер USB Type-C Power Delivery 3.1

пакет:VQFN-40
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MCP22301T-1I/KYX

Produktbeschreibung:Независимый контроллер USB Type-C Power Delivery 3.1

пакет:VQFN-40
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MAX25432BATLP/V

Produktbeschreibung:100W, USB PD, PPS, регулятор портов понижающего и повышающего давления и протектор

пакет:TQFN-40
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSD2621C-DQAGR

Produktbeschreibung:Чип привода GaN с полумостом высокого напряжения

пакет:LGA
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSD2621A-DQAGR

Produktbeschreibung:Чип привода GaN с полумостом высокого напряжения

пакет:LGA
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSG65N15K-DQAFR

Produktbeschreibung:Чип из нитрида галлия, переключатель GaN с внутренней интеграцией 650 В и полумостовой привод

пакет:QFN
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NTBZ

Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N канал 650 V 58.5A (Tc) 250 W (Tc) CCPAK1212i

пакет:CCPAK1212i
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NBBHP

Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 650 V 60A (Tc) 300 W (Tc) CCPAK1212

пакет:CCPAK1212
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 83 записи«Предыдущая страница1234...6Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler