Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

LMG3526R030RQSR
TI

Produktbeschreibung:650V 30m GaN FET с интегрированным драйвером, защитой и обнаружением нулевого напряжения

пакет:VQFN-52
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3427R030RQZR
TI

Produktbeschreibung:600V 30mΩ GaN FET с интегрированным драйвером, защитой и обнаружением нулевого напряжения

пакет:VQFN-54
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG2100R026VBNR
TI

Produktbeschreibung:Уровень мощности полумостового нитрида галлия (GaN) 100 В 2,6 мОм

пакет:18-VQFN-FCRLF
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3100R044VBER
TI

Produktbeschreibung:100V 4.4mΩ GaN FET с интегрированным приводом

пакет:15-VQFN-FCRLF
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NTBZ

Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N канал 650 V 58.5A (Tc) 250 W (Tc) CCPAK1212i

пакет:CCPAK1212i
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NBBHP

Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 650 V 60A (Tc) 300 W (Tc) CCPAK1212

пакет:CCPAK1212
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANB4R8-040CBAZ

Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N-канал 40 V 20A (Ta) 13W (Ta) 22-WLCSP (2.1x2.1)

пакет:WLCSP-22
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANE3R9-150QBAZ

Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 150 V 100 A (Ta) 65 W (Ta) VQFN

пакет:VQFN-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3624REQR
TI

Produktbeschreibung:650 В 170 мОм GaN FET со встроенным драйвером, защитой и датчиком тока

пакет:VQFN-38
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3426R030RQZR
TI

Produktbeschreibung:600 В 30 мОм GaN FET со встроенным драйвером, защитой и обнаружением нулевого напряжения

пакет:54-VQFN
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG2100R044RARR
TI

Produktbeschreibung:100 В 4,4 мОм полумостовой GaN FET со встроенным драйвером и защитой

пакет:WQFN-16
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G26H605W19NR3
NXP

Produktbeschreibung:2496-2690 МГц, средняя мощность 85 Вт, 48 В Airfast® RF Power GaN Transistor

пакет:OM−780−4S4S
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G21H605W19NR3
NXP

Produktbeschreibung:2110-2200 МГц, средняя мощность 85 Вт, 48 В Airfast® RF Power GaN Transistor

пакет:OM- 780- 4S4S
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN063-650WSAQ

Produktbeschreibung:Проходной путь 650 V 34,5 A (Ta) 143W (Ta) TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN041-650WSBQ

Produktbeschreibung:Тоннель тоннель N 650 V 47.2A 187W TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN140-650EBEZ

Produktbeschreibung:650 В, 140 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе DFN 8 мм x 8 мм

пакет:DFN8080-8
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 22 записи«Предыдущая страница12Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler