sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
бренд:
рисунок продукции
тип
марка
описание параметров
количество заказа
запасы
количество покупки
единичная цена
операция
Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N канал 650 V 58.5A (Tc) 250 W (Tc) CCPAK1212i
пакет:CCPAK1212iProduktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 650 V 60A (Tc) 300 W (Tc) CCPAK1212
пакет:CCPAK1212Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N-канал 40 V 20A (Ta) 13W (Ta) 22-WLCSP (2.1x2.1)
пакет:WLCSP-22Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 150 V 100 A (Ta) 65 W (Ta) VQFN
пакет:VQFN-7Produktbeschreibung:650 В 170 мОм GaN FET со встроенным драйвером, защитой и датчиком тока
пакет:VQFN-38Produktbeschreibung:600 В 30 мОм GaN FET со встроенным драйвером, защитой и обнаружением нулевого напряжения
пакет:54-VQFNProduktbeschreibung:100 В 4,4 мОм полумостовой GaN FET со встроенным драйвером и защитой
пакет:WQFN-16Produktbeschreibung:2496-2690 МГц, средняя мощность 85 Вт, 48 В Airfast® RF Power GaN Transistor
пакет:OM−780−4S4SProduktbeschreibung:2110-2200 МГц, средняя мощность 85 Вт, 48 В Airfast® RF Power GaN Transistor
пакет:OM- 780- 4S4SProduktbeschreibung:Проходной путь 650 V 34,5 A (Ta) 143W (Ta) TO-247-3
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:Тоннель тоннель N 650 V 47.2A 187W TO-247-3
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:650 В, 140 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе DFN 8 мм x 8 мм
пакет:DFN8080-8Produktbeschreibung:650 В, 190 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе DFN 5 мм x 6 мм
пакет:DFN5060-5Produktbeschreibung:650 В, 140 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе DFN 5 мм x 6 мм
пакет:DFN5060-5Produktbeschreibung:150 В, 7 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе LGA размером 2,2 мм x 3,2 мм x 0,774 мм
пакет:FCLGA-3Produktbeschreibung:650 В, 190 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе DFN 8 мм x 8 мм
пакет:DFN8080-8контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: