Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

GAN039-650NTBZ

Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N канал 650 V 58.5A (Tc) 250 W (Tc) CCPAK1212i

пакет:CCPAK1212i
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NBBHP

Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 650 V 60A (Tc) 300 W (Tc) CCPAK1212

пакет:CCPAK1212
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANB4R8-040CBAZ

Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N-канал 40 V 20A (Ta) 13W (Ta) 22-WLCSP (2.1x2.1)

пакет:WLCSP-22
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANE3R9-150QBAZ

Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 150 V 100 A (Ta) 65 W (Ta) VQFN

пакет:VQFN-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3624REQR
TI

Produktbeschreibung:650 В 170 мОм GaN FET со встроенным драйвером, защитой и датчиком тока

пакет:VQFN-38
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3426R030RQZR
TI

Produktbeschreibung:600 В 30 мОм GaN FET со встроенным драйвером, защитой и обнаружением нулевого напряжения

пакет:54-VQFN
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG2100R044RARR
TI

Produktbeschreibung:100 В 4,4 мОм полумостовой GaN FET со встроенным драйвером и защитой

пакет:WQFN-16
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G26H605W19NR3
NXP

Produktbeschreibung:2496-2690 МГц, средняя мощность 85 Вт, 48 В Airfast® RF Power GaN Transistor

пакет:OM−780−4S4S
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G21H605W19NR3
NXP

Produktbeschreibung:2110-2200 МГц, средняя мощность 85 Вт, 48 В Airfast® RF Power GaN Transistor

пакет:OM- 780- 4S4S
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN063-650WSAQ

Produktbeschreibung:Проходной путь 650 V 34,5 A (Ta) 143W (Ta) TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN041-650WSBQ

Produktbeschreibung:Тоннель тоннель N 650 V 47.2A 187W TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN140-650EBEZ

Produktbeschreibung:650 В, 140 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе DFN 8 мм x 8 мм

пакет:DFN8080-8
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN190-650FBEZ

Produktbeschreibung:650 В, 190 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе DFN 5 мм x 6 мм

пакет:DFN5060-5
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN140-650FBEZ

Produktbeschreibung:650 В, 140 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе DFN 5 мм x 6 мм

пакет:DFN5060-5
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN7R0-150LBEZ

Produktbeschreibung:150 В, 7 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе LGA размером 2,2 мм x 3,2 мм x 0,774 мм

пакет:FCLGA-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN190-650EBEZ

Produktbeschreibung:650 В, 190 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе DFN 8 мм x 8 мм

пакет:DFN8080-8
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 18 записи«Предыдущая страница12Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler