Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

IPD60R180CM8

Produktbeschreibung:600 В CoolMOS™ 8 Силовой MOSFET транзистор

пакет:TO-252-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPZ65R019C7

Produktbeschreibung:650V 75A CoolMOS™ C7 N-канальные силовые MOSFET транзисторы

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPP60R040C7

Produktbeschreibung:600 В 50 А CoolMOS™ C7 N-канальные силовые MOSFET транзисторы

пакет:TO-220-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RBA300N10EHPF-5UA02

Produktbeschreibung:100V 340A 1.5mΩ REXFET-1 N-канальные силовые MOSFET транзисторы

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RBA300N10EANS-3UA02

Produktbeschreibung:100V 340A 1.5mΩ REXFET-1 N-канальные силовые MOSFET транзисторы

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC020N03MSG

Produktbeschreibung:Силовые МОП-транзисторы серии OptiMOS™ 3M, 30 В

пакет:PG-TDSON-8
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPL65R165CFD

Produktbeschreibung:Поверхностный монтаж N-канал 650 В 21,3 А (Тс) 195 Вт (Тс) PG-VSON-4

пакет:PG-VSON-4
10 шт.
7500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPW65R110CFD

Produktbeschreibung:Сквозное отверстие N-канал 650 В 31,2A (Тс) 277,8 Вт (Тс) PG-TO247-3-41

пакет:PG-TO247-3
10 шт.
24000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STW58N60DM2AG
ST

Produktbeschreibung:Автомобильный N-канальный 600 В, 0,052 Ом Typ, 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET, корпус TO-247

пакет:TO-247-3
10 шт.
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPG20N04S4L-11

Produktbeschreibung:40 В, двойные N-образные, 11,6 мОм макс, автомобильный MOSFET, двойной SS08 (5x6), OptiMOS™-T2

пакет:PG-TDSON-8
10 шт.
35000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPZ40N04S5L-2R8

Produktbeschreibung:Автомобильный MOSFET, S3O8, силовой транзистор OptiMOS™-5

пакет:TSDSON-8
10 шт.
20000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPC100N04S5L-1R5

Produktbeschreibung:40 В, N-Ch, 1,5 мОм макс, автомобильный MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5

пакет:PG-TDSON-8
10 шт.
25000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC500N20NS3G

Produktbeschreibung:Силовой транзистор OptiMOS™ 3, 200 В

пакет:PG-TDSON-8
10 шт.
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXFX230N20T

Produktbeschreibung:Сквозное отверстие N-канал 200 В 230A (Tc) 1670 Вт (Tc) PLUS247™-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT016H120G3AG
ST

Produktbeschreibung:Мощный транзистор MOSFET из карбида кремния автомобильного класса 1200 В

пакет:H2PAK-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT012W90G3-4AG
ST

Produktbeschreibung:Мощный транзистор MOSFET из карбида кремния автомобильного класса 900 В

пакет:HiP247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler