Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

C3M0060065D

Produktbeschreibung:N-канальные силовые МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы из карбида кремния

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0045065K

Produktbeschreibung:N-канальные силовые МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы из карбида кремния

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0021120D

Produktbeschreibung:N-канальные силовые МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы из карбида кремния

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4M0060075K1

Produktbeschreibung:Автомобильные N-канальные усилительные силовые МОП-транзисторы серии E из карбида кремния

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4M0045075K1

Produktbeschreibung:Автомобильные N-канальные усилительные силовые МОП-транзисторы серии E из карбида кремния

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LSIC1MO120G0040

Produktbeschreibung:1200 В 1 N-канальные SiC MOSFET транзисторы

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LSIC1MO120E0160

Produktbeschreibung:1200 В 1 N-канальные SiC MOSFET транзисторы

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LSIC1MO120E0120

Produktbeschreibung:1200 В 1 N-канальные SiC MOSFET транзисторы

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R007M2H

Produktbeschreibung:Транзисторы CoolSiC™ MOSFET 650V

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L050N170M1
ON

Produktbeschreibung:1700V, 45A, 53mohm, карбид кремния (SiC) MOSFET транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBL032N065M3S
ON

Produktbeschreibung:650 В, 55 А, Карбид кремния (SiC) MOSFET транзистор, H-PSOF-8

пакет:H-PSOF-8
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075018K4S
ON

Produktbeschreibung:750 В, 18 мОм, карбид кремния (SiC) MOSFET транзистор, TO-247-4

пакет:TO-220-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3C065030T3S
ON

Produktbeschreibung:650 В, 85 А, карбид кремния (SiC) MOSFET транзистор, TO-220-3

пакет:TO-220-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DIW120SIC059-AQ

Produktbeschreibung:1200 В, 65 А, SiC MOSFET транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DIF120SIC053-AQ

Produktbeschreibung:1200 В, 65 А, SiC MOSFET транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3C120150K3S
ON

Produktbeschreibung:1200 В, 150 мОм, карбид кремния (SiC) MOSFET транзистор, TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 383 записи«Предыдущая страница1234...24Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler