sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Автомобильный MOSFET
бренд:INFINEON
год выпуска:25+
пакет:PG-TSDSON-8
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 5000
IAUZ20N08S5L300【Infineon】80 В, 20 А, OptiMOS™-5 N-канальный, автомобильный MOSFET-транзистор
Ниже приведены подробные сведения о продукте IAUZ20N08S5L300:
Модель: IAUZ20N08S5L300
Корпус: PG-TSDSON-8
Тип: автомобильный MOSFET-транзистор
Характеристики продукта IAUZ20N08S5L300:
Технология: OptiMOS™-5
ID (@25°C) максимальное значение: 20 A
QG (тип при 10 В) макс.: 8,1 нК
QG (тип при 10 В) макс.: 10,5 нК
RDS (on) (при 10 В) макс.: 30 мОм
VDS макс.: 80 В
VGS(th): 1,6 В
Корпус: PG-TSDSON-8
Рабочая температура: от -55 °C до 175 °C
IAUZ20N08S5L300 Применение:
Модуль управления кузовом автомобиля (BCM)
Управление ходовой частью и безопасность
Функция светодиодных задних фонарей автомобиля
Приборная панель автомобиля
Светодиодные ленты и вывески
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-TO263-3
5000
Автомобильный MOSFET — 100 В, силовой транзистор OptiMOS™-T, PG-TO263-3
INFINEON
PG-TO263-3
5000
60 В, OptiMOS™ -T2 Автомобильный MOSFET-транзистор, PG-TO263-3
INFINEON
PG-TO263-7
5000
Автомобильный MOSFET — 60 В, силовой транзистор OptiMOS™ -T2, PG-TO263-7
INFINEON
PG-TO252-3
5000
100 В, автомобильный MOSFET-транзистор OptiMOS™-T2 с N-каналом, PG-TO252-3
INFINEON
PG-TO252-3
5000
100 В, OptiMOS™-T автомобильный MOSFET-транзистор, PG-TO252-3
INFINEON
PG-TO252-3
5000
60 В, автомобильный MOSFET-транзистор серии OptiMOS™-T2, PG-TO252-3
INFINEON
PG-TDSON-8
5000
100 В, OptiMOS™-T2, двойной N-канальный автомобильный MOSFET-транзистор, PG-TDSON-8
INFINEON
PG-TDSON-8
5000
60 В, OptiMOS™-T2 автомобильный MOSFET-транзистор, PG-TDSON-8
INFINEON
PG-TDSON-8
5000
60 В, двойной N-канал, OptiMOS™-T2 автомобильный MOSFET-транзистор, PG-TDSON-8
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…IPB35N10S3L-26
[Infineon] IPB35N10S3L-26: Автомобильный MOSFET — 100 В, силовой транзистор OptiMOS™-T, PG-TO263-3Сведения о продукте:Модель: IPB35N10S3L-26Корпус: PG-TO263-3Тип: Автомобильны…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120 В, силовой MOSFET-транзистор OptiMOS™ 6, нормальный уровень, в 3-контактном корпусе DPAK.Описание:IPB133N12NM6 — это MOSFET стандартного уровня 120…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03: 60 В, OptiMOS™ -T2 Автомобильный MOSFET-транзистор, PG-TO263-3Технические характеристики IPB120N06S4-03:Тип продукта: MOSFET Технология: Si Тип монтаж…IMCQ120R078M2H
IMCQ120R078M2H CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В, 78 мОм G2 в корпусе Q-DPAK с верхним охлаждением, специально разработанном для широкого использования в пром…IMCQ120R007M2H
IMCQ120R007M2H CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В, 7 мОм G2 в корпусе Q-DPAK с верхним охлаждением, специально разработанном для широкого использования в пром…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: