sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:SCT2160KEHRC11
Руководство по данным:SCT2160KEHRC11.pdf
бренд:ROHM
год выпуска:23+
пакет:TO-247-3
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
SCT2160KEHRC11 - это автомобильный N-канальный SiC силовой МОП-транзистор на 1200 В, 160 мОм, со сквозным отверстием, в корпусе TO-247-3.
Свойства продукта
Тип изделия: МОП-транзисторы
Технология: SiC
Стиль монтажа: сквозное отверстие
Упаковка / корпус: TO-247N-3
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 1,2 кВ
Id - непрерывный ток стока: 22 A
Rds On - сопротивление включения стока-источника: 208 мОм
Vgs - напряжение источника затвора: - 6 В, + 22 В
Vgs th - пороговое напряжение источника затвора: 4 В
Qg - заряд затвора: 62 нК
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Pd - рассеиваемая мощность: 165 Вт
Канальный режим: усиление
Конфигурация: одиночная
Время спада: 27 нс
Прямая транскондуктивность - мин: 2,4 S
Тип изделия: МОП-транзистор
Время нарастания: 25 нс
Количество в заводской упаковке: 30
Подкатегория: МОП-транзисторы
Тип транзистора: Автомобильный силовой МОП-транзистор
Типичное время задержки выключения: 67 нс
Типовое время задержки включения: 23 нс
Псевдоним номера детали: SCT2160KEHR
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
TO-247-4
3000
Карбид кремния (Sic) MOSFET EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L
ST
HiP247-3
3000
1200 В Мощность карбида кремния автомобильного класса MOSFET, 27 мОм, 56 А, HiP247
ON
TO-247-3
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L
ON
TO-247-4
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L
ON
D2PAK-7
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
ON
D2PAK-7
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ROHM Co., Ltd. является одним из ведущих мировых производителей полупроводников со штаб-квартирой в Киото, Япония. Компания ROHM разрабатывает и…
BU97520AKV-ME2
BU97520AKV-ME2 - это драйвер ЖК-дисплея общего назначения, работающий в режиме 1/4 или 1/3 Duty.RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2 — нан кэп ™ 650V ид HEMT мощност IC, очен распространя на требовательн плотност энерговыделен и эффективн различн электрон систем. Уст…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: