sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:SCT3080KLHRC11
Руководство по данным:SCT3080KLHRC11.pdf
бренд:ROHM
год выпуска:23+
пакет:TO-247-3
срок поставки:Новый оригинал.
количество запасов: 3000
Одиночные транзисторы FETs SCT3080KLHRC11 чип интегральной схемы TO-247-3 сквозное отверстие
Технические характеристики
Полярность транзистора: N-канальный
Количество каналов: 1 канал
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 1,2 кВ
Id - непрерывный ток стока: 31 A
Rds On - Сопротивление сток-исток: 80 мОм
Vgs - напряжение затвор-исток: - 4 В, + 22 В
Vgs th - пороговое напряжение источника затвора: 2,7 В
Qg - Заряд затвора: 60 нК
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Pd - рассеиваемая мощность: 165 W
Режим канала: Усиление
Конфигурация: Одиночный
Время спада: 24 нс
Прямая транскондуктивность - мин: 4.4 S
Время нарастания: 22 нс
типичное время задержки выключения: 29 нс
Типичное время задержки включения: 15 нс
Вес устройства: 6 г
Описание продукта
SCT3080KLHRC11 обеспечивают низкое сопротивление включения при улучшенном времени выдерживания короткого замыкания.
Особенности
Быстрая скорость переключения
Быстрое обратное восстановление
Простота параллельного подключения
Простое управление
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-16
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-16
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ROHM Co., Ltd. является одним из ведущих мировых производителей полупроводников со штаб-квартирой в Киото, Япония. Компания ROHM разрабатывает и…
RGS80TSX2HRC11
RGS80TSX2HRC11: 10 мкс, устойчивость к короткому замыканию, 1200 В, 40 А, корпус TO-247N, полевой IGBT-транзистор с канальным затвором, подходит для автомоб…RGS30TSX2DHRC11
RGS30TSX2DHRC11: 1200 В, 15 А, IGBT-транзистор с полевым затвором, TO-247N-3RGS30TSX2DHRC11 — это автомобильный (AEC-Q101) IGBT-транзистор с передовой технологией полево…RGS00TS65EHRYC13
RGS00TS65EHRYC13 — это сверхскоростной IGBT с переключением 650 В/50 А, относящийся к серии ROHM Field Stop Trench IGBT, специально разработанный для высокоэффект…RGE60TS65DGC13
RGE60TS65DGC13 имеет характеристики низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер, низких потерь при переключении и времени выдержки коротко…SCT4062KWATL
SCT4062KWATL представляет собой транзистор MOSFET мощностью 1200 V 24A N с каналом SiC.Особенности SCT4062KWATLНизкое сопротивлениеСкорость переключения.Бы…SCT4045DWATL
SCT4045DWATL представляет собой транзистор MOSFET мощностью 750 V 31A N с каналом SiC.Особенности SCT4045DWATLНизкое сопротивлениеСкорость переключения.Быс…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: