sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:SCT4045DEC11
Руководство по данным:SCT4045DEC11.pdf
бренд:ROHM
год выпуска:23+
пакет:TO-247-3
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
SCT4045DEC11 - это SiC MOSFET, который способствует миниатюризации и снижению энергопотребления приложения.
Технические характеристики
Тип изделия: МОП-транзистор
Технология: SiC
Стиль монтажа: сквозное отверстие
Упаковка / корпус: TO-247N-3
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 750 В
Id - непрерывный ток стока: 34 A
Rds On - сопротивление включения стока-источника: 45 мОм
Vgs - напряжение источника затвора: - 4 В, + 21 В
Vgs th - пороговое напряжение источника затвора: 4.8 В
Qg - заряд затвора: 63 нК
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Pd - рассеиваемая мощность: 115 Вт
Канальный режим: усиление
Время спада: 12 нс
Тип изделия: МОП-транзистор
Время нарастания: 28 нс
Количество в заводской упаковке: 450
Подкатегория: МОП-транзисторы
Тип транзистора: 1 N-канальный
Типичное время задержки выключения: 29 нс
Типичное время задержки включения: 5,8 нс
Псевдоним по номеру детали: SCT4045DE
Применение
Солнечные инверторы
DC/DC преобразователи
Источники питания с переключаемым режимом
Индукционный нагрев
Приводы двигателей
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-16
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-16
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ROHM Co., Ltd. является одним из ведущих мировых производителей полупроводников со штаб-квартирой в Киото, Япония. Компания ROHM разрабатывает и…
RGS80TSX2HRC11
RGS80TSX2HRC11: 10 мкс, устойчивость к короткому замыканию, 1200 В, 40 А, корпус TO-247N, полевой IGBT-транзистор с канальным затвором, подходит для автомоб…RGS30TSX2DHRC11
RGS30TSX2DHRC11: 1200 В, 15 А, IGBT-транзистор с полевым затвором, TO-247N-3RGS30TSX2DHRC11 — это автомобильный (AEC-Q101) IGBT-транзистор с передовой технологией полево…RGS00TS65EHRYC13
RGS00TS65EHRYC13 — это сверхскоростной IGBT с переключением 650 В/50 А, относящийся к серии ROHM Field Stop Trench IGBT, специально разработанный для высокоэффект…RGE60TS65DGC13
RGE60TS65DGC13 имеет характеристики низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер, низких потерь при переключении и времени выдержки коротко…SCT4062KWATL
SCT4062KWATL представляет собой транзистор MOSFET мощностью 1200 V 24A N с каналом SiC.Особенности SCT4062KWATLНизкое сопротивлениеСкорость переключения.Бы…SCT4045DWATL
SCT4045DWATL представляет собой транзистор MOSFET мощностью 750 V 31A N с каналом SiC.Особенности SCT4045DWATLНизкое сопротивлениеСкорость переключения.Быс…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: