sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:МОП-транзисторы автомобильного класса
бренд:INFINEON
год выпуска:24+
пакет:PG-HSOF-5
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 3000
IAUAN04S7N008 был распространя на машин приложен 40V, 0,82 m Ω N на канальн усилител, очен низк по сопротивлен с -, низк выключател потер и улучшен прочност.
Infineon OptiMOS ™ 7 для будущ машин прикладн установ нов стандарт, с наименьш размер инновац, прочн инкапсуляц сочетан, достижим высочайш мощност эффективн, бол низк выключател потер и SOA посерьезн.
IAUAN04S7N008 (спецификация)
Технология: Si
Стиль установки: SMD/SMT
Инкапсуляция/упаковка: HSOF-5
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 чаннел
Источник утечки: 40 V
Ток непрерывного потока: 290 A
Сопротивление потока Rds On- утечка: 820 uOhms
Vgs-сетка-источник напряжения: 20 V, плюс 20 V
Пороговое напряжение Vgs th- решёточного источника: 3 V
Заряд сетки Qg- 60 nC
Минимальн рабоч температур: - 55 ° C
Максимальн рабоч температур: + 175 ° C
Расхождение энергии: 133 W
Режим канала: Enhancement
Название логотипа: OptiMOS
Серия: OptiMOS 7
риэль
снято
Логотип: Infineon Technologies
Время падения: 12 нс
Чувствительность к влажности: да
Тип продукции: MOSFET
Время подъёма: 6 нс
Количество заводов: 2000
Подкатегория: MOSFETs
Тип транзистора: OptiMOS Automotive Power MOSFET
Типичная задержка закрытия: 21 нс
Типичное время задержки: 9 нс
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-TDSON-8
2000
100 В, N-Ch, 28 мОм макс, автомобильный MOSFET, двойной SSO8 (5x6), OptiMOS™ 5
INFINEON
PG-TDSON-8
3000
100 В, N-Ch, максимальное значение 2,1 м, MOSFET класса транспортного средства, SSO8 (5x6), OptiMOS ™ 7
INFINEON
PG-HSOF-5
3000
40V, N-Ch, максимальное значение 0.72m, MOSFET, sTOLL (7x8), OptiMOS ™ 7
INFINEON
PG-HSOF-5
3000
40V, N-Ch, максимальное значение 0,57m, MOSFET, sTOLL (7x8), OptiMOS ™ 7
INFINEON
PG-HSOF-5
3000
40В, N-Ch, максимальное значение 0,51 м, MOSFET, sTOLL (7x8), OptiMOS ™ 7
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H: Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзисторМодель: AIMZA75R008M1HУпаковка: PG-TO247-4Тип: Автомобильный МОП-транзистор…FF2600UXTR33T2M1
FF2600UXTR33T2M1: Карбидокремниевые MOSFET модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2600UXTR33T2M1 - полумостовой модуль XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3,3 кВ, 2,5 мОм с технол…FF2000UXTR33T2M1
FF2000UXTR33T2M1 (Модули MOSFET из карбида кремния): 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2000UXTR33T2M1 - XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 3,3 кВ, 1,9 мОм с технол…IMBG120R034M2H
IMBG120R034M2H представляет собой дискретный 1200 V G2 CoolSiC MOSFET в упаковке TO-263-7. CoolSiC MOSFET INFINEON основан на первоклассной технологии траншейных полупр…IPQC60T010S7A
IPQC60T010S7A представляет собой мощный MOSFET 600 V CoolMOS S7TA, предназначенный для удовлетворения особых требований к автомобильным электронным комп…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: