sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Автомобильный МОП-транзистор
бренд:INFINEON
год выпуска:25+
пакет:PG-TDSON-8
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 25000
IPC100N04S5L-1R5 - это семейство силовых МОП-транзисторов OptiMOS™ автомобильного класса, которые представляют собой N-канальные повышающие приборы, разработанные для высоконадежных и высокоэффективных приложений автомобильной электроники. К их основным достоинствам относятся чрезвычайно низкое сопротивление включения (RDS(on)), высокая допустимая сила тока (100 А) и сертификация AEC-Q101 для жестких условий эксплуатации в автомобилях.
Характеристики - IPC100N04S5L-1R5
OptiMOS™ - силовые МОП-транзисторы для автомобильных применений
N-канальные - расширенный режим - логические уровни
Сертифицирован AEC Q101
Пиковая температура плавления MSL1 до 260°C
Рабочая температура 175°C
Экологически чистый продукт (соответствует RoHS)
100% лавинные испытания
Атрибуты продукта - IPC100N04S5L-1R5
Серия: OptiMOS™
Тип транзистора: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss): 40 В
Ток при 25°C - непрерывный слив (Id): 100A (Tc)
Напряжение питания (максимальное Rds On, минимальное Rds On): 4,5 В, 10 В
Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 1,5 мОм @ 50A, 10V
Vgs(th) при различных Id (макс.): 2V @ 60µA
Заряд затвора (Qg) при Vgs (макс.): 95 nC @ 10 В
Vgs (max): ±16 В
Входная емкость (Ciss) при различном Vds (макс.): 5340 пФ @ 25 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 115 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс: Автомобильный класс
Квалификация: AEC-Q101
Тип монтажа: поверхностный монтаж
Комплект поставки: PG-TDSON-8-34
Упаковка/корпус: 8-PowerTDFN
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ST
TO-247-3
15000
Автомобильный N-канальный 600 В, 0,052 Ом Typ, 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET, корпус TO-247
INFINEON
PG-TDSON-8
35000
40 В, двойные N-образные, 11,6 мОм макс, автомобильный MOSFET, двойной SS08 (5x6), OptiMOS™-T2
ST
H2PAK-7
2000
Мощный транзистор MOSFET из карбида кремния автомобильного класса 1200 В
ST
HiP247-3
3000
Мощный транзистор MOSFET из карбида кремния автомобильного класса 900 В
INFINEON
TO-252-3
2500
-40 В, P-Ch, 10,6 мОм макс, автомобильный MOSFET, DPAK, OptiMOS™-P2
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…S25FL512SDPBHVC10
Высокопроизводительная микросхема NOR флеш-памяти S25FL512SDPBHVC10 с интерфейсом SPI подходит для широкого спектра встраиваемых приложений.S25FL512SAGBHVB10
Устройства NOR Flash Infineon S25FL512SAGBHVB10 представляют собой энергонезависимые устройства флэш-памяти с напряжением питания VIO VCC от 2,7 до 3,6 В.S29GL01GS11DHIV10
S29GL01GS11DHIV10 - это высокопроизводительная микросхема параллельной NOR флеш-памяти объемом 1 Гб в корпусе 64-FBGA (9 мм x 9 мм) с рабочим диапазоном н…S70FL01GSAGMFI010
S70FL01GSAGMFI010 - высокопроизводительная микросхема NOR флеш-памяти с интерфейсом SPI для широкого спектра встраиваемых приложений.S25FL512SAGBHIC13
S25FL512SAGBHIC13 - это высокопроизводительная микросхема NOR Flash-памяти с интерфейсом SPI от Infineon, предназначенная для широкого спектра встраиваем…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: